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发明公开
形成集成电路器件的方法及通过其形成的集成电路器件审中-实审

公开(公告)号：CN116230641A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211490750.2

申请日：2022-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 何铭 , 河大元 , H.辛卡 , 朴宰贤 , M.萨雷姆 , R.帕克

IPC: H01L21/8238 , H01L27/092

Abstract: 提供了集成电路器件和形成该集成电路器件的方法。该方法可以包括提供初步晶体管堆叠，该初步晶体管堆叠包括在衬底上的上牺牲层、在衬底和上牺牲层之间的上有源区、在衬底和上有源区之间的下牺牲层、以及在衬底和下牺牲层之间的下有源区。该方法还可以包括：在下有源区的相应的相反侧表面上形成下源极/漏极区；在下源极/漏极区的第一下源极/漏极区上形成初步覆盖层，初步覆盖层包括半导体材料；将初步覆盖层转变为包括绝缘材料的覆盖层；以及在上有源区的相应的相反侧表面上形成上源极/漏极区。

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