公开(公告)号：CN118284057A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311728771.8

申请日：2023-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申昊文 ,  朴钟埙 ,  梁珠永 ,  黄正锡 ,  金成勋 ,  郭判硕 ,  金雅廪 ,  李明勋 ,  俞昌渊 ,  裴茂圭 ,  李先健

IPC: H10B43/50 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 一种非易失性存储器装置可包括存储器单元区域和在竖直方向上位于存储器单元区域下方的外围电路区域。存储器单元区域可包括在竖直方向上延伸的多个沟道结构、在多个沟道结构上方的第一金属层、在第一金属层上方的第一封盖层、在第一封盖层上方的第一上绝缘层、以及穿透第一封盖层的至少一个第一虚设接触件。第一金属层可包括多条位线和至少一条虚设位线。位线可分别连接到多个沟道结构。至少一个第一虚设接触件可在至少一条虚设位线上并且可为第一上绝缘层中的氢离子提供迁移路径。