公开(公告)号：CN118695597A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410172881.9

申请日：2024-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞炳益 ,  高承范 ,  权泰穆 ,  孙畅津 ,  吕次东 ,  李瑟智 ,  李昇珉

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27 ,  H10B80/00

Abstract: 非易失性存储器件包括：衬底，包括存储单元区域和连接区域；模制结构，包括交替堆叠的多个栅电极和多个模制绝缘层；沟道结构，在存储单元区域中穿过模制结构；第一单元接触部，在连接区域中穿过模制结构，连接到第一栅电极，并且与第二栅电极电断开；多个支撑结构，在连接区域中在平面上围绕第一单元接触部，并且延伸穿过模制结构；以及坝结构，在连接区域中位于第一单元接触部和第二栅电极之间，并且与第一单元接触部间隔开，绝缘环介于坝结构与第一单元接触部之间。

公开(公告)号：CN118265294A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311788077.5

申请日：2023-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李秉一 ,  高承范 ,  崔钟允

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 公开了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括：堆叠结构，其位于衬底上并且包括交替地堆叠的栅电极和绝缘层；第一穿通过孔件，其延伸通过堆叠结构；以及第二穿通过孔件，其与第一穿通过孔件间隔开，其中，第二穿通过孔件延伸通过堆叠结构，其中，第二穿通过孔件电连接到第一栅电极，第一栅电极为栅电极之中的在竖直方向上距衬底最远的栅电极，其中，栅极焊盘位于第一栅电极上并且接触第一栅电极，并且第一穿通过孔件包括：竖直图案；从竖直图案突出的第一突出部和第二突出部，其中，第一突出部在水平方向上与第一栅电极的一部分重叠；以及第二突出部，其在水平方向上与第二栅电极重叠，其中，第二栅电极与第二穿通过孔件间隔开。