公开(公告)号：CN112310101A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010743257.1

申请日：2020-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  权泰穆 ,  禹映范

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种垂直存储器件包括下电路图案、第二基板、电容器、栅电极和沟道。下电路图案形成在包括第一区域、第二区域和第三区域的第一基板上。接触插塞形成在第二区域中。贯穿通路形成在第三区域中。第二基板形成在下电路图案上。电容器形成在下电路图案上，并且包括第一导体、电介质层结构和第二导体。第一导体与第二基板间隔开并且在与第二基板相同的高度处。电介质层结构形成在第一导体上。第二导体形成在电介质层结构上。栅电极在第二基板上在垂直方向上彼此间隔开。沟道在垂直方向上延伸穿过栅电极。

公开(公告)号：CN114725116A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111659089.9

申请日：2021-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔茂林 ,  权泰穆 ,  金俊亨 ,  金铉宰 ,  禹映范 ,  尹钟仁

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11582 ,  G11C16/04

Abstract: 提供了半导体装置和包括其的数据存储系统。所述半导体装置包括：第一衬底，包括杂质区，所述杂质区包括第一导电类型的杂质；电路器件，位于所述第一衬底上；下互连结构，电连接到所述电路器件；第二衬底，位于所述下互连结构上并且包括所述第一导电类型的半导体；栅电极，位于所述第二衬底上并且在与所述第二衬底的上表面垂直的第一方向上堆叠并彼此间隔开；沟道结构，穿过所述栅电极；以及连接结构。所述沟道结构可以垂直于所述第二衬底的所述上表面延伸。所述沟道结构可以包括沟道层。所述连接结构可以将所述第一衬底的所述杂质区连接到所述第二衬底，并且所述连接结构可以包括通路，所述通路包括第二导电类型的半导体。

公开(公告)号：CN113394197A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110257154.9

申请日：2021-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权泰穆 ,  金俊亨 ,  吕次东 ,  禹映范

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种半导体器件包括：第一衬底；电路器件，设置在第一衬底上；第一互连结构，电连接到电路器件；第二衬底，设置在第一互连结构的上部上；栅电极，彼此间隔开并且在与第二衬底的上表面垂直的方向上堆叠在第二衬底上；以及沟道结构，穿透栅电极，垂直于第二衬底延伸并且包括沟道层。该半导体器件还包括接地互连结构，该接地互连结构连接第一衬底和第二衬底，并且包括与第二衬底一体并且从第二衬底的下表面朝向第一衬底延伸的上通孔。

公开(公告)号：CN118695597A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410172881.9

申请日：2024-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞炳益 ,  高承范 ,  权泰穆 ,  孙畅津 ,  吕次东 ,  李瑟智 ,  李昇珉

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27 ,  H10B80/00

Abstract: 非易失性存储器件包括：衬底，包括存储单元区域和连接区域；模制结构，包括交替堆叠的多个栅电极和多个模制绝缘层；沟道结构，在存储单元区域中穿过模制结构；第一单元接触部，在连接区域中穿过模制结构，连接到第一栅电极，并且与第二栅电极电断开；多个支撑结构，在连接区域中在平面上围绕第一单元接触部，并且延伸穿过模制结构；以及坝结构，在连接区域中位于第一单元接触部和第二栅电极之间，并且与第一单元接触部间隔开，绝缘环介于坝结构与第一单元接触部之间。

公开(公告)号：CN113809087A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110663217.0

申请日：2021-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  权泰穆 ,  李昇珉

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一栅电极；第一沟道结构，穿透所述第一栅电极并且包括第一沟道层和第一沟道填充绝缘层；所述第一栅电极上方的第二栅电极；第二沟道结构，穿透所述第二栅电极并且包括第二沟道层和第二沟道填充绝缘层；以及，中央布线层，在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间并且连接到所述第一沟道层和所述第二沟道层，其中，所述第一沟道层和所述第二沟道层在由所述中央布线层包围的区域中彼此连接，并且所述第一沟道填充绝缘层和所述第二沟道填充绝缘层在由所述中央布线层包围的区域中彼此连接。