-
公开(公告)号：CN116406160A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310008305.6
申请日：2023-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开涉及半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。该半导体器件包括：下部结构；堆叠结构，包括栅电极以及与栅电极交替堆叠的层间绝缘层，栅电极在下部结构的第一区域上一个堆叠在另一个上并且彼此间隔开且在下部结构的第二区域上以阶梯形状延伸；沟道结构，穿透第一区域上的栅电极；以及隔离结构，穿透彼此间隔开的栅电极。每个沟道结构包括在第一沟道结构和第二沟道结构之间的沟道弯曲部分。每个隔离结构包括在第一隔离结构和第二隔离结构之间的第一隔离弯曲部分以及在第二隔离结构和第三隔离结构之间的第二隔离弯曲部分。第二隔离结构的上表面的宽度比第三隔离结构的下表面的宽度窄。
-
公开(公告)号：CN109273451B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201810784256.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
-
公开(公告)号：CN114078862A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110785462.9
申请日：2021-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体装置和包括其的数据存储系统。半导体装置包括外围电路结构和存储单元结构，外围电路结构包括第一衬底和位于第一衬底上的电路元件，存储单元结构包括：第二衬底，位于第一衬底上；第一水平导电层，位于第二衬底上；第二水平导电层，位于第一水平导电层上；栅电极，彼此间隔开并且堆叠在第二水平导电层上；沟道结构，穿过栅电极；以及分隔区域，穿过栅电极、延伸并且彼此间隔开。半导体装置具有贯穿布线区域，贯穿布线区域包括将存储单元结构和外围电路结构电连接的贯穿接触插塞，分隔区域包括相邻于贯穿接触插塞的第一分隔区域，并且第一分隔区域穿过第二水平导电层并且与第一水平导电层间隔开。
-
公开(公告)号：CN107799529B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201710727478.8
申请日：2017-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11573
Abstract: 一种半导体存储器件包括衬底、地选择线、字线、绝缘层、竖直通道部分和第一外围电路栅极图案。衬底包括单元阵列区域和外围电路区域。地选择线在单元阵列区域上。字线在地选择线上。绝缘层在地选择线与字线之间。竖直通道部分在与衬底的顶表面垂直的方向上穿过地选择线、字线和绝缘层。第一外围电路栅极图案在衬底的外围电路区域上。绝缘层从单元阵列区域延伸到外围电路区域上以覆盖第一外围电路栅极图案的顶表面。
-
公开(公告)号：CN101276178A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810096302.8
申请日：2008-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李秉一
CPC classification number: H02P8/18
Abstract: 一种成像装置，包括步进电机，与步进电机连接的部件，和控制步进电机的控制器。通过选择具有避免共振的驱动频率的速度控制表，控制器控制步进电机以和共振频率不相等的驱动频率加速或减速，目的是避免步进电机和部件之间共振。因而，该成像装置可以避免步进电机和部件之间共振，将振动和噪声减到最小，并且防止部件故障。该成像装置还包括第一存储单元，其存储部件的共振频率；和第二存储单元，其存储具有依据速度控制周期设置的不同驱动频率的速度控制表。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109300901B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810825306.9
申请日：2018-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/20 , H01L23/48 , H01L23/528
Abstract: 垂直存储器件包括在第一方向上彼此间隔开的栅极电极。该栅极电极中的每一个沿第二方向延伸。绝缘图案在相邻栅极电极之间沿第二方向延伸。沟道结构沿第一方向延伸。沟道结构延伸穿过栅极电极结构的至少一部分和绝缘图案结构的至少一部分。栅极电极结构包括在衬底上沿第一方向顺序地堆叠的至少一个第一栅极电极和多个第二栅极电极。第一绝缘图案的下表面和上表面沿着第一方向远离衬底的上表面弯曲。连接第一绝缘图案的下表面和上表面的侧壁相对于衬底的上表面倾斜。
-
公开(公告)号：CN113497053A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110056565.1
申请日：2021-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 三维半导体存储器件可以包括：水平结构，可以位于衬底的上表面上，并且可以包括顺序堆叠在所述衬底的所述上表面上的第一水平图案和第二水平图案；堆叠结构，包括堆叠在所述水平结构上的电极；垂直图案，延伸穿过所述电极并且连接到所述第一水平图案；和分隔结构，与所述堆叠结构和所述水平结构相交并且突出到所述衬底的所述上表面中。最下面的电极可以具有彼此面对的第一内侧壁，所述分隔结构介于所述第一内侧壁之间。所述第二水平图案可以具有彼此面对的第二内侧壁，所述分隔结构介于所述第二内侧壁之间。所述第一内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离可以小于所述第二内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离。
-
公开(公告)号：CN113380811A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110213536.1
申请日：2021-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11582
Abstract: 提供具有提高的可靠性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：模制结构，包括在第一基板上的多个栅电极和多个模制绝缘膜；沟道结构，穿透模制结构并与每个栅电极的相应水平面交叉；在模制结构中的多个第一绝缘图案，第一绝缘图案包括与模制绝缘膜的材料不同的材料；以及在第一绝缘图案中的第一贯穿通路，第一贯穿通路穿透第一基板和模制结构。栅电极包括第一字线和在第一字线上的第二字线。从第一字线到第一贯穿通路的第一距离不同于从第二字线到第一贯穿通路的第二距离。
-
公开(公告)号：CN109300901A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810825306.9
申请日：2018-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L23/48 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L29/1037 , H01L29/4234 , H01L23/481 , H01L23/5283 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 垂直存储器件包括在第一方向上彼此间隔开的栅极电极。该栅极电极中的每一个沿第二方向延伸。绝缘图案在相邻栅极电极之间沿第二方向延伸。沟道结构沿第一方向延伸。沟道结构延伸穿过栅极电极结构的至少一部分和绝缘图案结构的至少一部分。栅极电极结构包括在衬底上沿第一方向顺序地堆叠的至少一个第一栅极电极和多个第二栅极电极。第一绝缘图案的下表面和上表面沿着第一方向远离衬底的上表面弯曲。连接第一绝缘图案的下表面和上表面的侧壁相对于衬底的上表面倾斜。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.06 seconds)
