公开(公告)号：CN109244078A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201810749616.7

申请日：2018-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  金度亨 ,  金台镛 ,  李根 ,  李正吉 ,  林炫锡

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了半导体存储器件和导体结构。该半导体存储器件可以包括衬底、堆叠在衬底上的栅电极结构、在栅电极结构之间的绝缘图案、穿透栅电极结构和绝缘图案的垂直沟道、以及数据存储图案。垂直沟道可以电连接到衬底。数据存储图案可以布置在栅电极结构与垂直沟道之间。栅电极结构的每个可以包括壁垒膜、金属栅极和晶粒边界填塞层。晶粒边界填塞层可以在壁垒膜与金属栅极之间。

公开(公告)号：CN109244078B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201810749616.7

申请日：2018-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  金度亨 ,  金台镛 ,  李根 ,  李正吉 ,  林炫锡

IPC: H10B41/20 ,  H10B43/20

Abstract: 提供了半导体存储器件和导体结构。该半导体存储器件可以包括衬底、堆叠在衬底上的栅电极结构、在栅电极结构之间的绝缘图案、穿透栅电极结构和绝缘图案的垂直沟道、以及数据存储图案。垂直沟道可以电连接到衬底。数据存储图案可以布置在栅电极结构与垂直沟道之间。栅电极结构的每个可以包括壁垒膜、金属栅极和晶粒边界填塞层。晶粒边界填塞层可以在壁垒膜与金属栅极之间。

公开(公告)号：CN113764430A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110573257.6

申请日：2021-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  金台镛 ,  李根 ,  李正吉 ,  林泰洙 ,  崔韩梅

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体器件包括：栅电极，所述栅电极在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠并且彼此间隔开；层间绝缘层，所述层间绝缘层与所述栅电极交替堆叠在所述衬底上；沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述栅电极；和分隔区域，所述分隔区域在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，其中，每个所述栅电极包括顺序堆叠的第一导电层和第二导电层，所述第二导电层包括金属氮化物，并且其中，所述第一导电层和所述第二导电层均与所述分隔区域物理接触。