公开(公告)号：CN117896986A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311209036.6

申请日：2023-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文英东 ,  朴性薰 ,  韩赫 ,  金圣真

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  H10B80/00

Abstract: 提供了非易失性存储器件、其制造方法和包括其的电子系统。所述非易失性存储器件包括：基板，其包括第一区域和第二区域；模制结构，其位于基板上，并且包括以阶梯方式交替地堆叠在彼此之上的多个栅电极和多个模制绝缘膜；层间绝缘膜，其覆盖模制结构；沟道结构，其位于第一区域上，并且延伸穿过模制结构并且连接到多个栅电极；以及贯通接触，其位于第二区域上并且延伸穿过层间绝缘膜，其中，贯通接触包括位于第一沟槽中的第一部分和位于第二沟槽中的第二部分，第一部分包括：衬垫膜，其沿着第一沟槽的侧壁和底表面；以及填充膜，其位于衬垫膜上，其中填充膜是多晶粒导电材料，并且第二部分是单晶粒导电材料。

公开(公告)号：CN116916658A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310087634.4

申请日：2023-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴性薰 ,  李正吉

IPC: H10B43/30 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50

Abstract: 一种半导体器件，包括：绝缘结构；绝缘结构中的第一导电结构，第一导电结构包括第一导电层和第二导电层；以及绝缘结构中的第二导电结构，第二导电结构包括第二导电结构的第一导电层。第一导电结构的宽度大于第二导电结构的宽度。第一导电结构的第一导电层、第一导电结构的第二导电层和第二导电结构的第一导电层包括相同的非金属元素。第一导电结构的第二导电层中的非金属元素的浓度高于第一导电结构的第一导电层和第二导电结构的第一导电层中的非金属元素的浓度。