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发明公开
电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置审中-公开

公开(公告)号：CN118382290A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410012197.4

申请日：2024-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍秀 , 姜政佑 , 韩东旭 , 金荷怜 , 林义郎

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置。所述电容器结构包括：下电极；介电图案，在下电极的侧壁上；以及上电极结构，上电极结构包括顺序地堆叠在介电图案的侧壁上的第一上电极和第二上电极，其中，第一上电极和第二上电极中的每个包括金属氮化物，包括在第一上电极中的金属氮化物具有与包括在第二上电极中的金属氮化物的晶体取向不同的晶体取向，并且第一上电极的逸出功大于第二上电极的逸出功。

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