公开(公告)号：CN118382290A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410012197.4

申请日：2024-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍秀 ,  姜政佑 ,  韩东旭 ,  金荷怜 ,  林义郎

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置。所述电容器结构包括：下电极；介电图案，在下电极的侧壁上；以及上电极结构，上电极结构包括顺序地堆叠在介电图案的侧壁上的第一上电极和第二上电极，其中，第一上电极和第二上电极中的每个包括金属氮化物，包括在第一上电极中的金属氮化物具有与包括在第二上电极中的金属氮化物的晶体取向不同的晶体取向，并且第一上电极的逸出功大于第二上电极的逸出功。

公开(公告)号：CN117476454A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310922434.6

申请日：2023-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白智睿 ,  林义郎

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H10B12/00

Abstract: 本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上依次堆叠牺牲层和支撑层、形成穿透牺牲层和支撑层以与衬底接触的底电极、图案化支撑层以形成将底电极彼此连接的支撑图案、去除牺牲层以暴露底电极的表面、在底电极的暴露表面和支撑图案的表面上沉积导电层、以及蚀刻导电层。蚀刻导电层包括选择性地去除在支撑图案上的导电层以暴露支撑图案的所述表面。沉积导电层和蚀刻导电层在同一腔室中交替地执行。