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公开(公告)号：CN1761050A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510103848.8
申请日：2005-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尹珠爱
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/1362 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , H01L27/1214 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。本方法包括：在衬底上形成栅线和存储电极线；在栅线存储电极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线和漏电极；在数据线和漏电极上沉积钝化层；在钝化层上形成包含第一部分和第二部分的光致抗蚀剂；用光致抗蚀剂来蚀刻钝化层进而暴露数据线的一部分和栅极绝缘层的第一部分；去除光致抗蚀剂的第二部分；用光致抗蚀剂来蚀刻钝化层和栅极绝缘层的第一部分，从而暴露栅极绝缘层的第二部分，漏电极的一部分和栅线的一部分；在变形的第一光致抗蚀剂上沉积导电膜；和去除变形的第一光致抗蚀剂从而形成与漏电极暴露部分连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN1503042A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310115221.5
申请日：2003-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L29/78696
Abstract: 在电路板上形成栅极线及包含第一栅极部分和第二栅极部分栅极布线，其上部形成栅极绝缘层。接着在栅极绝缘层上部用非晶硅形成包含第一半导体部分和第二半导体部分半导体层，形成包括数据线、包含第一源极部分和第二源极部分源极及包含第一漏极部分和第二漏极部分漏极的数据布线，并形成与漏极连接的像素电极。这时用分割曝光的光学蚀刻工序形成栅极布线、数据布线或半导体层，使分割曝光区域边界线位于第一栅极部分和第二栅极部分之间或第一半导体部分和第二半导体部分之间或第一源极和第二源极之间或第一漏极和第二漏极之间，然后进行分割曝光。
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公开(公告)号：CN100444005C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200410070349.9
申请日：2004-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/016 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L27/3244 , H01L29/456 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，包括：多条信号线，含有用于与外部装置连接的连接部件；多个薄膜晶体管，与信号线连接；绝缘层，在信号线和薄膜晶体管上形成；以及多个像素电极，在绝缘层上形成且与薄膜晶体管连接，其中绝缘层包括设置在信号线的连接部件上且具有比其它部分厚度小的连接部，而绝缘层的连接部包括具有小于约45°倾角的倾斜部。
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公开(公告)号：CN101369588B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200810161853.8
申请日：2003-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L29/78696
Abstract: 在电路板上形成栅极线及包含第一栅极部分和第二栅极部分栅极布线，其上部形成栅极绝缘层。接着在栅极绝缘层上部用非晶硅形成包含第一半导体部分和第二半导体部分半导体层，形成包括数据线、包含第一源极部分和第二源极部分源极及包含第一漏极部分和第二漏极部分漏极的数据布线，并形成与漏极连接的像素电极。这时用分割曝光的光学蚀刻工序形成栅极布线、数据布线或半导体层，使分割曝光区域边界线位于第一栅极部分和第二栅极部分之间或第一半导体部分和第二半导体部分之间或第一源极和第二源极之间或第一漏极和第二漏极之间，然后进行分割曝光。
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公开(公告)号：CN101487960A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910001897.9
申请日：2009-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/027 , G03F1/14
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908
Abstract: 一种显示基板，所述显示基板包括绝缘基板、薄膜晶体管、像素电极、信号线和焊盘部件。绝缘基板具有显示区和包围显示区的外围区域。薄膜晶体管在绝缘基板的显示区中。像素电极在绝缘基板的显示区中并电连接到薄膜晶体管。信号线在绝缘基板上并从外围区域向显示区延伸。焊盘部/件在外围区域中并电连接到信号线。焊盘部件形成于绝缘基板的沟槽中，并且包括延伸进绝缘基板中的区域。因此，信号线可以固定连接到绝缘基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100487887C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200510103848.8
申请日：2005-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尹珠爱
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/1362 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , H01L27/1214 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。本方法包括：在衬底上形成栅线和存储电极线；在栅线存储电极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线和漏电极；在数据线和漏电极上沉积钝化层；在钝化层上形成包含第一部分和第二部分的光致抗蚀剂；用光致抗蚀剂来蚀刻钝化层进而暴露数据线的一部分和栅极绝缘层的第一部分；去除光致抗蚀剂的第二部分；用光致抗蚀剂来蚀刻钝化层和栅极绝缘层的第一部分，从而暴露栅极绝缘层的第二部分，漏电极的一部分和栅线的一部分；在变形的第一光致抗蚀剂上沉积导电膜；和去除变形的第一光致抗蚀剂从而形成与漏电极暴露部分连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN101114657B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710138129.9
申请日：2007-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G03F1/38 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/13454 , G02F2001/133388 , G02F2001/136236
Abstract: 一种显示面板包括：基板、信号线、薄膜晶体管、像素电极和伪开口。基板具有显示区域和围绕显示区域的外围区域。信号线位于基板上，并彼此相交以限定单位像素。薄膜晶体管与信号线电连接，并位于单位像素处。像素电极与薄膜晶体管电连接。像素电极形成在单位像素中。伪开口位于外围区域处，并与信号线分隔开。
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公开(公告)号：CN101369588A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810161853.8
申请日：2003-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L29/78696
Abstract: 在电路板上形成栅极线及包含第一栅极部分和第二栅极部分栅极布线，其上部形成栅极绝缘层。接着在栅极绝缘层上部用非晶硅形成包含第一半导体部分和第二半导体部分半导体层，形成包括数据线、包含第一源极部分和第二源极部分源极及包含第一漏极部分和第二漏极部分漏极的数据布线，并形成与漏极连接的像素电极。这时用分割曝光的光学蚀刻工序形成栅极布线、数据布线或半导体层，使分割曝光区域边界线位于第一栅极部分和第二栅极部分之间或第一半导体部分和第二半导体部分之间或第一源极和第二源极之间或第一漏极和第二漏极之间，然后进行分割曝光。
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公开(公告)号：CN100446252C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200410086667.4
申请日：2004-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/124
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，在基片上形成形成具有栅极的多条栅极线且在覆盖栅极线的栅极绝缘层上形成半导体层。在该栅极绝缘层上形成与栅极线交叉的多条数据线，并且沿着平行且邻接数据线的方向形成多个漏极。而且，形成多个存储电容器导体以与漏极连接且与邻接的栅极线重叠。在上述结构之上形成由有机材料组成的钝化层且具有接触孔。而且，形成多个像素电极以通过接触孔与漏极进行电连接。
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公开(公告)号：CN101241918A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810009906.4
申请日：2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/13458 , G02F2001/136231
Abstract: 本发明公开了一种显示基底及该显示基底的制造方法。该显示基底包括：接触电极，设置在开关元件的端部上，开关元件设置在基体基底上；半导体图案，包括突出，所述突出设置在接触电极的下面并突出超过接触电极；透明电极，与接触电极和所述突出接触。
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