-
公开(公告)号：CN119470263A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410927519.8
申请日：2024-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N21/01 , G01N21/17 , G01N21/3563 , H01L21/67
Abstract: 一种光学测量设备包括：第一光发射器，被配置为将第一光发射到样品的表面上；第二光发射器，被配置为将第二光发射到其上入射有第一光的样品的表面上；物理性质检测器，被配置为：通过检测由于样品的表面上的第一光的光热效应引起的第二光的光量的改变，获得样品的物理性质信息；以及至少一个结构检测器，被配置为：通过检测从样品的表面反射的第一光和第二光中的至少一个的反射光，获得样品的结构信息。
-
公开(公告)号：CN110634873A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910433308.8
申请日：2019-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L27/24
Abstract: 提供了三维半导体存储器装置。所述装置可以包括半导体层和在半导体层上的电极结构。电极结构可以包括第一电极结构和第二电极结构，第一电极结构包括第一电极部分和第一垫部分，第二电极结构包括第二电极部分和第二垫部分。第一电极部分和第二电极部分中的每个具有第一宽度，第一垫部分和第二垫部分中的每个具有第二宽度，第二宽度可以小于第一宽度。第一电极部分和第二电极部分可以彼此间隔开第一距离，第一垫部分和第二垫部分可以彼此间隔开第二距离，第二距离可以大于第一距离。
-
公开(公告)号：CN100443959C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200610007307.X
申请日：2006-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及光学器件的检测装置及检测方法。依据本发明所提供的光学器件的检测装置，包含：用于向所述光学器件射出光的激光器；通过对所述激光器射出光的相位进行变更而消除干扰的相位变更部；用于将通过所述光学器件的光按特定方向偏振的偏振部；用于集中所偏振光的集光部；用于将所集中的光变换为电信号的光二极管；用于处理所述电信号的信号处理部。据此提供可以测定板状光学器件的双折射和厚度变形程度的光学器件的检测装置及检测方法。
-
公开(公告)号：CN110634873B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910433308.8
申请日：2019-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了三维半导体存储器装置。所述装置可以包括半导体层和在半导体层上的电极结构。电极结构可以包括第一电极结构和第二电极结构，第一电极结构包括第一电极部分和第一垫部分，第二电极结构包括第二电极部分和第二垫部分。第一电极部分和第二电极部分中的每个具有第一宽度，第一垫部分和第二垫部分中的每个具有第二宽度，第二宽度可以小于第一宽度。第一电极部分和第二电极部分可以彼此间隔开第一距离，第一垫部分和第二垫部分可以彼此间隔开第二距离，第二距离可以大于第一距离。
-
公开(公告)号：CN111326520A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911293508.4
申请日：2019-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11556
Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：多个第一绝缘层，垂直地堆叠在外围逻辑结构上；第二绝缘层，与第一绝缘层交替地堆叠；导电层，与第一绝缘层交替地堆叠并且设置在第二绝缘层的侧壁上；贯通互连，穿透第一绝缘层和第二绝缘层从而连接到外围逻辑结构；以及第一导电线，电连接到导电层的多个第一导电层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1917040A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200510097429.8
申请日：2005-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/00
Abstract: 本发明涉及一种磁记录介质的检测装置及其检测方法。依据本发明所提供的磁记录介质的检测装置，包含：向所述磁记录介质发出光的外差激光器；使从所述磁记录介质反射的光按特定方向偏振的偏振部；用于接收偏振光的收光部；从接受到的光检测克尔磁信号的检测器；用于显示所检测到的所述克尔磁信号的显示部。据此，提供一种可以正确、简单地检测磁记录介质的克尔磁信号的光学设备检测装置及其检测方法。
-
公开(公告)号：CN110579478B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201910417361.9
申请日：2019-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种执行检验和计量处理的设备和方法。所述设备可包括：工作台，其被被配置为在其上装载基板；传感器，其位于工作台上；物镜，其位于传感器和工作台之间；光源，其产生将通过物镜被发送到基板的照明光；第一带滤波部件，其位于光源和物镜之间，以将照明光的波长控制在第一带宽内；以及第二带滤波部件，其位于光源和物镜之间，以将照明光的波长控制在第二带宽内，第二带宽小于第一带宽。
-
公开(公告)号：CN109270070A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810791488.2
申请日：2018-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种成像装置和成像方法。该成像装置包括：照明光源，用于输出照明光；照明光学系统，用于将照明光朝向样品透射；成像光学系统，用于透射从样品反射的光；工作台，用于沿预定传送方向移动样品；以及拍摄单元，用于接收反射光。成像设备可以包括位于样品的共轭焦平面处的一个或多个衍射光栅。拍摄单元的操作可以与工作台对样品的移动同步，以根据时间延迟集成方法获得图像。
-
公开(公告)号：CN110858595B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910772275.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种三维半导体存储器件，其可以包括：第一堆叠块，包括在基板上在第一方向上布置的第一堆叠；第二堆叠块，包括在基板上在第一方向上布置的第二堆叠；以及分离结构，设置在基板上在第一堆叠块和第二堆叠块之间。分离结构可以包括第一模层和第二模层，其在垂直于基板的顶表面的垂直方向上堆叠。
-
公开(公告)号：CN109270070B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201810791488.2
申请日：2018-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种成像装置和成像方法。该成像装置包括：照明光源，用于输出照明光；照明光学系统，用于将照明光朝向样品透射；成像光学系统，用于透射从样品反射的光；工作台，用于沿预定传送方向移动样品；以及拍摄单元，用于接收反射光。成像设备可以包括位于样品的共轭焦平面处的一个或多个衍射光栅。拍摄单元的操作可以与工作台对样品的移动同步，以根据时间延迟集成方法获得图像。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.018 seconds)
