半导体存储器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117956797A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202311400546.1

    申请日:2023-10-26

    Abstract: 一种半导体存储器件可以包括:包括单元阵列区和外围电路区的衬底;在衬底的单元阵列区上的有源图案;在衬底的外围电路区上的外围有源图案;设置在外围有源图案的顶表面上的外围栅电极;提供在单元阵列区上以覆盖有源图案的顶表面的第一层间绝缘图案;以均匀的厚度覆盖第一层间绝缘图案和外围栅电极的第一蚀刻停止层;以及设置在第一蚀刻停止层上和外围电路区中的第二层间绝缘图案。在单元阵列区中,第二层间绝缘图案可以具有与第一蚀刻停止层的顶表面位于基本相同的水平的顶表面。

    半导体装置
    4.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN117641900A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311072951.5

    申请日:2023-08-24

    Abstract: 一种半导体装置包括:衬底;在第一方向上在衬底上延伸的位线;位线上的第一有源图案和第二有源图案;背栅电极,其在第一有源图案和第二有源图案之间并且在垂直于第一方向的第二方向上与位线交叉地延伸;第一字线,其在第一有源图案的一侧在第二方向上延伸;第二字线,其在第二有源图案的另一侧在第二方向上延伸;以及接触图案,其连接至第一有源图案和第二有源图案中的每一个,其中,接触图案顺序地包括外延生长层、掺杂的多晶硅层和硅化物层。

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