公开(公告)号：CN1110071C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN98114960.X

申请日：1998-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶圭 ,  崔志铉 ,  洪锡智

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31055

Abstract: 一种平面化半导体基片的方法，利用半导体基片上绝缘体腐蚀选择性的差别。该方法包括的步骤是：湿法腐蚀凸出区上部边缘的第二和第一绝缘层直到第一绝缘层的部分在上部边缘露出为止；在第一和第二绝缘层上形成第三绝缘层；湿法腐蚀第三和第二绝缘层直到第一绝缘层的上部表面露出为止。湿法腐蚀期间，第二绝缘层的腐蚀要比第三绝缘层快。借助这种方法，半导体基片具有平的表面。

公开(公告)号：CN1204866A

公开(公告)日：1999-01-13

申请号：CN98114960.X

申请日：1998-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶圭 ,  崔志铉 ,  洪锡智

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31055

Abstract: 一种平面化半导体基片的方法,利用半导体基片上绝缘体腐蚀选择性的差别。该方法包括的步骤是:湿法腐蚀凸出区上部边缘的第二和第一绝缘层直到第一绝缘层的部分在上部边缘露出为止;在第一和第二绝缘层上形成第三绝缘层;湿法腐蚀第三和第二绝缘层直到第一绝缘层的上部表面露出为止。湿法腐蚀期间,第二绝缘层的腐蚀要比第三绝缘层快。借助这种方法,半导体基片具有平的表面。