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公开(公告)号：CN115528042A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210692352.2
申请日：2022-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556
Abstract: 提供了半导体装置和包括其的数据存储系统。所述半导体装置包括：衬底；栅电极，所述栅电极彼此间隔开并沿垂直于所述衬底的上表面的方向堆叠；第一水平导电层和第二水平导电层，所述第一水平导电层和所述第二水平导电层依次堆叠在所述衬底与所述栅电极之间；和沟道结构，所述沟道结构穿过所述栅电极并垂直延伸，并且包括与所述第一水平导电层接触的沟道层，其中，所述沟道层在所述栅电极当中的最下面的栅电极的下表面所位于的第一水平高度的下方具有直径减小的区域，并且所述沟道结构还包括金属硅化物区，所述金属硅化物区位于所述第一水平高度下方并且与所述沟道层接触地位于所述沟道结构中。
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公开(公告)号：CN116156896A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211419300.4
申请日：2022-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括在基底上的栅电极和延伸穿过栅电极的存储器沟道结构。栅电极在与基底的上表面基本上垂直的竖直方向上彼此间隔开。存储器沟道结构在基底上沿竖直方向延伸。存储器沟道结构包括在竖直方向上延伸的第一填充图案、在第一填充图案的侧壁上的沟道以及在沟道的侧壁上的电荷存储结构。第一填充图案包括在约25℃的温度下具有等于或大于约100W/m·K的热导率的材料。
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公开(公告)号：CN114361168A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110725883.2
申请日：2021-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种半导体器件和电子系统，所述器件包括：基板，包括单元阵列区域和连接区域；堆叠件，包括垂直地堆叠在基板上的多个电极；源极导电图案，在单元阵列区域上位于基板与堆叠件之间；虚设绝缘图案，在连接区域上位于基板与堆叠件之间；导电支撑图案，位于堆叠件与源极导电图案之间以及堆叠件与虚设绝缘图案之间；多个第一垂直结构，位于单元阵列区域上并穿透堆叠件、导电支撑图案和源极导电图案；以及多个第二垂直结构，位于连接区域上并穿透堆叠件、导电支撑图案和虚设绝缘图案。
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公开(公告)号：CN111261637A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910953065.0
申请日：2019-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种垂直存储器件，所述垂直存储器件包括：沟道连接图案，所述沟道连接图案位于衬底上；栅电极，所述栅电极在所述沟道连接图案上沿第一方向彼此间隔开；以及沟道，所述沟道沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极和所述沟道连接图案。每个所述栅电极沿基本上平行于所述衬底的上表面的第二方向延伸，所述第一方向基本上垂直于所述衬底的所述上表面。在所述垂直存储器件的截面图中，所述沟道连接图案的中间部分的上表面在所述第一方向上的高度分别低于所述沟道连接图案的与所述沟道相邻的端部的所述上表面在所述第一方向上的高度，以及所述沟道连接图案的与所述沟道相对的端部的上表面在所述第一方向上的高度。
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公开(公告)号：CN113451327A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110012743.0
申请日：2021-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L27/11568
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括堆叠在基底上的电极并且在连接区域上具有阶梯结构；垂直沟道结构，位于单元阵列区域上以穿透电极结构并且电连接到基底；虚设结构，位于连接区域上以穿透阶梯结构；以及第一侧壁氧化物图案，置于基底与虚设结构之间。虚设结构包括位于基底上的上部分、与第一侧壁氧化物图案接触的中间部分以及位于中间部分下方的下部分。随着距上部分的垂直距离增大，中间部分的直径减小直到中间部分的直径达到其最小值，然后增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024794B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201610187524.5
申请日：2016-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/788
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：衬底；衬底上的隧道绝缘图案；隧道绝缘图案上的电荷存储图案；电荷存储图案上的电介质图案，电介质图案的宽度小于电荷存储图案的宽度；电介质图案上的控制栅极，控制栅极的宽度大于电介质图案的宽度；以及控制栅极上的含金属栅极。
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公开(公告)号：CN106024794A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610187524.5
申请日：2016-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：衬底；衬底上的隧道绝缘图案；隧道绝缘图案上的电荷存储图案；电荷存储图案上的电介质图案，电介质图案的宽度小于电荷存储图案的宽度；电介质图案上的控制栅极，控制栅极的宽度大于电介质图案的宽度；以及控制栅极上的含金属栅极。
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公开(公告)号：CN112670293A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011024561.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11578
Abstract: 公开了半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括：堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的多个电极和多个介电层；竖直沟道结构，其穿透堆叠结构；以及导电焊盘，其位于竖直沟道结构上。竖直沟道结构包括半导体图案和在半导体图案与电极之间的竖直介电图案。半导体图案的上部包括包含卤素元素的杂质区。半导体图案的上部与导电焊盘相邻。
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公开(公告)号：CN112420723A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010836465.6
申请日：2020-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 一种三维半导体装置，包括：导电层，其位于衬底上并且包括第一导电类型的杂质；基体层，其位于导电层上；堆叠件，其包括下绝缘膜以及位于下绝缘膜上的栅电极和模制绝缘层，其中，基体层包括高介电材料；竖直结构，其包括穿过堆叠结构的竖直沟道层和设置在竖直沟道层与多个栅电极之间的竖直绝缘层，竖直结构在绝缘基体层中具有在宽度方向上延伸的延伸区域；以及隔离结构，其穿过堆叠结构、绝缘基体层和导电层，并且在与衬底的上表面平行的方向上延伸，其中，导电层具有延伸部分，延伸部分在竖直结构的延伸区域中沿着竖直沟道层的表面延伸。
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公开(公告)号：CN112151552A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010545433.0
申请日：2020-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种垂直半导体装置，可以包括堆叠结构、沟道结构和下部连接结构。堆叠结构可以包括交替重复堆叠的绝缘层和栅电极。堆叠结构可以与衬底的上表面间隔开。沟道结构可以包括电荷存储结构和沟道。沟道结构可以穿过堆叠结构。下部连接结构可以形成在衬底上。下部连接结构可以与沟道和衬底电连接。下部连接结构的侧壁可以包括突出部，该突出部设置在从衬底的上表面开始的所述侧壁在竖直方向上的中心部分处。该垂直半导体装置可以具有高可靠性。
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