公开(公告)号：CN106024794B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201610187524.5

申请日：2016-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南宫铉 ,  金东谦 ,  金廷奂 ,  池正根 ,  杨大光 ,  柳志晚

IPC: H01L27/11582 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：衬底；衬底上的隧道绝缘图案；隧道绝缘图案上的电荷存储图案；电荷存储图案上的电介质图案，电介质图案的宽度小于电荷存储图案的宽度；电介质图案上的控制栅极，控制栅极的宽度大于电介质图案的宽度；以及控制栅极上的含金属栅极。

公开(公告)号：CN106024794A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610187524.5

申请日：2016-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南宫铉 ,  金东谦 ,  金廷奂 ,  池正根 ,  杨大光 ,  柳志晚

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：衬底；衬底上的隧道绝缘图案；隧道绝缘图案上的电荷存储图案；电荷存储图案上的电介质图案，电介质图案的宽度小于电荷存储图案的宽度；电介质图案上的控制栅极，控制栅极的宽度大于电介质图案的宽度；以及控制栅极上的含金属栅极。