公开(公告)号：CN109585319B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201810992183.8

申请日：2018-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金延泰 ,  金度亨 ,  梁光贤 ,  李昌润 ,  崔宁旭 ,  朴基寿 ,  崔殷硕

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供了检查半导体基底的方法以及制造半导体装置的方法，所述检查半导体基底的方法包括以下步骤：测量在旋转的半导体基底上反射的光的光强度；分析测量的光强度的频率分布；以及通过使用频率分布来确定半导体基底的状态。分析测量的光强度的频率分布的步骤包括从测量的光强度提取分别对应于多个频率的多个频率分量。

公开(公告)号：CN109585319A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810992183.8

申请日：2018-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金延泰 ,  金度亨 ,  梁光贤 ,  李昌润 ,  崔宁旭 ,  朴基寿 ,  崔殷硕

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供了检查半导体基底的方法以及制造半导体装置的方法，所述检查半导体基底的方法包括以下步骤：测量在旋转的半导体基底上反射的光的光强度；分析测量的光强度的频率分布；以及通过使用频率分布来确定半导体基底的状态。分析测量的光强度的频率分布的步骤包括从测量的光强度提取分别对应于多个频率的多个频率分量。