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公开(公告)号：CN111326443A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910774444.3
申请日：2019-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 用于制造半导体器件的设备包括：处理室，其包括等离子处理空间；和衬底支撑件，其布置在处理室中并且构造为支撑衬底，其中衬底支撑件包括：基座，其包括多个升降销孔，每个升降销孔构造为容纳升降销；和密封带，其具有环形形状并从基座突出，密封带的内径小于多个升降销孔的节圆直径。
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