公开(公告)号：CN110021668A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811619564.8

申请日：2018-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正韩 ,  朴成哲 ,  李允逸 ,  金并基 ,  全英敏 ,  河大元 ,  黄寅灿 ,  朴宰贤 ,  申宇哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：多个栅电极，在衬底上交叉有源图案并沿第二方向延伸，所述多个栅电极在第一方向上彼此间隔开；栅极分隔图案，具有在第一方向上的长轴并且在所述多个栅电极中的两个栅电极之间，所述多个栅电极中的所述两个栅电极在第二方向上彼此相邻；以及多个栅极间隔物，覆盖所述多个栅电极中的相应栅电极的侧壁，栅极间隔物交叉栅极分隔图案并沿第二方向延伸。栅极分隔图案包括沿第一方向延伸的下部、从下部突出并具有第一宽度的中间部分、以及在两个相邻的栅极间隔物之间并从中间部分突出的上部，上部具有小于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN111952372A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010315750.3

申请日：2020-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权兑勇 ,  金并基 ,  李基焕 ,  李正韩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；在所述第一区域上沿第一方向间隔开的第一鳍组，每个所述第一鳍组包括在与所述第一方向相交的第二方向上纵长地延伸的相邻的第一鳍和第二鳍；以及在所述第二区域上沿第三方向间隔开的第三鳍至第五鳍，所述第三鳍至所述第五鳍在与所述第三方向相交的第四方向上纵长地延伸。所述第三鳍至所述第五鳍具有第一节距，所述第一鳍和所述第二鳍具有等于或小于所述第一节距的第二节距，相邻的所述第一鳍组具有大于所述第一节距的三倍且小于所述第一节距的四倍的第一组节距，并且所述第一鳍的宽度和所述第二鳍的宽度与所述第三鳍的宽度相同。