公开(公告)号：CN111952372A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010315750.3

申请日：2020-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权兑勇 ,  金并基 ,  李基焕 ,  李正韩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；在所述第一区域上沿第一方向间隔开的第一鳍组，每个所述第一鳍组包括在与所述第一方向相交的第二方向上纵长地延伸的相邻的第一鳍和第二鳍；以及在所述第二区域上沿第三方向间隔开的第三鳍至第五鳍，所述第三鳍至所述第五鳍在与所述第三方向相交的第四方向上纵长地延伸。所述第三鳍至所述第五鳍具有第一节距，所述第一鳍和所述第二鳍具有等于或小于所述第一节距的第二节距，相邻的所述第一鳍组具有大于所述第一节距的三倍且小于所述第一节距的四倍的第一组节距，并且所述第一鳍的宽度和所述第二鳍的宽度与所述第三鳍的宽度相同。

公开(公告)号：CN109950206A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811338798.5

申请日：2018-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正韩 ,  金竝基 ,  金钟必 ,  李基焕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/265

Abstract: 提供了一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括：对基底执行第一离子注入工艺以在基底中形成下掺杂区域；对具有下掺杂区域的基底进行图案化以形成有源图案；对有源图案执行第二离子注入工艺以在有源图案中的每个的上部中形成上掺杂区域。下掺杂区域和上掺杂区域具有相同的导电类型。