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公开(公告)号：CN1862832A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610082733.X
申请日：2006-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/823814 , H01L21/82385 , H01L21/823857 , H01L29/66606 , H01L29/7836
Abstract: 提供了一种高压半导体器件以及制造该高压半导体器件的方法。例如，对上述器件和方法而言，通过掺入第一杂质在半导体衬底中形成具有第一深度的漂移区。漂移区彼此隔开以在漂移区之间界定沟道区。通过掺杂第二杂质在所述漂移区的第一部分形成具有第二深度的源极/漏极区。通过掺杂第三杂质在与所述源极/漏极区相邻的漂移区的第二部分形成具有第三深度的杂质积累区。在半导体衬底上形成栅极绝缘层图案以部分地暴露源极/漏极区。在沟道区所处的栅极绝缘层图案的一部分上形成栅极导电层图案。在栅极结构和栅极绝缘层图案上形成能够防止电流迅速增大的缓冲层。
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公开(公告)号：CN103177967A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210568254.4
申请日：2012-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金容顿
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L29/0653 , H01L29/0886 , H01L29/66681 , H01L29/7801 , H01L29/7816 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法。该方法包括：制备具有晶体管区和对准区的衬底；分别在晶体管区的衬底中和对准区的衬底中形成第一沟槽和第二沟槽；在晶体管区的衬底中形成漂移区；形成分别与漂移区的两端相邻的两个第三沟槽；以及分别在第一沟槽中形成隔离图案、在第二沟槽中形成掩埋电介质图案以及在两个第三沟槽中形成电介质图案。第一沟槽的深度小于第三沟槽的深度，第一沟槽的深度等于或实质上等于第二沟槽的深度。
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公开(公告)号：CN1630079A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410102193.8
申请日：2004-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L21/823425 , H01L27/088 , H01L29/0619 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种静电放电保护器件及其制造方法，包括衬底、形成在衬底中的n阱、形成在n阱上的p阱、形成在p阱上的NMOS晶体管、以及形成在p阱中的接地p+阱拾取器，该NMOS晶体管包括栅极电极、n+源极和n+漏极，其中n阱连接至NMOS晶体管的n+漏极，且n+源极接地。连接n+漏极和n阱，从而减小触发电压和衬底表面的电流密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108695395A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810319491.4
申请日：2018-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L27/08
CPC classification number: H01L29/872 , H01L27/0255 , H01L27/0814 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/66143 , H02M7/06 , H01L29/0684
Abstract: 一种肖特基二极管包括：第一导电类型的导电层；设置在导电层中的第二导电类型的阱区；设置在导电层中的第一隔离区，其中第一隔离区与阱区间隔开；设置在导电层中的第二导电类型的第一结区，其中第一结区与第一隔离区相邻并与阱区间隔开；设置在导电层中的第一导电类型的第二结区，其中第二结区与第一隔离区相邻；以及肖特基电极，其覆盖对应于阱区与第一结区之间的导电层的上表面的肖特基结表面。
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公开(公告)号：CN100552939C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200410102193.8
申请日：2004-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L21/823425 , H01L27/088 , H01L29/0619 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种静电放电保护器件及其制造方法，包括衬底、形成在衬底中的n阱、形成在n阱上的p阱、形成在p阱上的NMOS晶体管、以及形成在p阱中的接地p+阱拾取器，该NMOS晶体管包括栅极电极、n+源极和n+漏极，其中n阱连接至NMOS晶体管的n+漏极，且n+源极接地。连接n+漏极和n阱，从而减小触发电压和衬底表面的电流密度。
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公开(公告)号：CN107546224A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710505735.3
申请日：2017-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L21/761 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1083 , H01L29/1087 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/66689
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一导电类型的基板；在基板上的栅电极；第一导电类型的第一高浓度杂质区，设置在栅电极的第一侧；第一导电类型的第一阱，设置在第一高浓度杂质区下面并围绕第一高浓度杂质区；第二导电类型的第二阱，交叠栅电极的一部分并邻近第一阱；以及第二导电类型的第一深阱，设置在第一阱和第二阱下面，第一深阱和第一高浓度杂质区响应于第一电压。
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公开(公告)号：CN103177967B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201210568254.4
申请日：2012-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金容顿
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L29/0653 , H01L29/0886 , H01L29/66681 , H01L29/7801 , H01L29/7816 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法。该方法包括：制备具有晶体管区和对准区的衬底；分别在晶体管区的衬底中和对准区的衬底中形成第一沟槽和第二沟槽；在晶体管区的衬底中形成漂移区；形成分别与漂移区的两端相邻的两个第三沟槽；以及分别在第一沟槽中形成隔离图案、在第二沟槽中形成掩埋电介质图案以及在两个第三沟槽中形成电介质图案。第一沟槽的深度小于第三沟槽的深度，第一沟槽的深度等于或实质上等于第二沟槽的深度。
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公开(公告)号：CN101339726A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810127289.8
申请日：2008-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/20 , H03K19/0185 , H01L27/088 , H01L23/522
CPC classification number: G09G3/2965 , G09G3/293 , G09G3/296 , G09G2330/021 , G09G2330/028
Abstract: 本发明提供一种寻址驱动器，其包括能量恢复电路和连接到能量恢复电路的输出级。输出级连接到能量恢复电路并且由上拉MOS晶体管和下拉MOS晶体管形成。上拉MOS晶体管的源端连接到能量恢复电路，并且上拉MOS晶体管的体端连接到为上拉MOS晶体管的源端和体端之间提供反向偏压的结点。本发明也提供采用该寻址驱动器的显示装置以及制作寻找驱动器的方法。
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