公开(公告)号：CN1862832A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610082733.X

申请日：2006-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容灿 ,  金容顿 ,  李准珩

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/7836

Abstract: 提供了一种高压半导体器件以及制造该高压半导体器件的方法。例如，对上述器件和方法而言，通过掺入第一杂质在半导体衬底中形成具有第一深度的漂移区。漂移区彼此隔开以在漂移区之间界定沟道区。通过掺杂第二杂质在所述漂移区的第一部分形成具有第二深度的源极/漏极区。通过掺杂第三杂质在与所述源极/漏极区相邻的漂移区的第二部分形成具有第三深度的杂质积累区。在半导体衬底上形成栅极绝缘层图案以部分地暴露源极/漏极区。在沟道区所处的栅极绝缘层图案的一部分上形成栅极导电层图案。在栅极结构和栅极绝缘层图案上形成能够防止电流迅速增大的缓冲层。