公开(公告)号：CN107546224A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710505735.3

申请日：2017-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容顿 ,  黄仁俊 ,  姜廷翰

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66689

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一导电类型的基板；在基板上的栅电极；第一导电类型的第一高浓度杂质区，设置在栅电极的第一侧；第一导电类型的第一阱，设置在第一高浓度杂质区下面并围绕第一高浓度杂质区；第二导电类型的第二阱，交叠栅电极的一部分并邻近第一阱；以及第二导电类型的第一深阱，设置在第一阱和第二阱下面，第一深阱和第一高浓度杂质区响应于第一电压。

公开(公告)号：CN119836848A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380066601.X

申请日：2023-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑慧仁 ,  姜廷翰 ,  李奉宰 ,  林钟现

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/14 ,  H05K9/00 ,  H05K7/20

Abstract: 根据一个实施例的PCB组件包括：第一电路板；设置在所述第一电路板上的电子部件；连接到所述第一电路板的第二电路板；被配置为从所述电子部件吸收热量的热模块；以及加压结构，其被配置为在朝向电子部件的方向上向热模块施加预载荷，其中加压结构可以在与第二电路板分离的同时被支撑在第一电路板或外部结构上。