公开(公告)号：CN1619011A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410068244.X

申请日：2004-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 ,  马东俊 ,  瑟格里·Y·纳瓦拉 ,  金大一

IPC: C23C14/35 ,  H01J37/32 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C14/358 ,  H01J37/3408

Abstract: 本发明提供一个有螺旋自谐振线圈的电离物理汽相沉积(IPVD)装置。IPVD装置包括一个处理腔，内有基体保持器支撑处理的基体；一个沉积材料源，面朝基体保持器，向处理腔内提供沉积在基体上的材料；一个气体喷射单元，朝处理腔内喷射处理气体；一个偏压电源，向基体保持器施加偏置电压；一个螺旋自谐振线圈，在处理腔内产生电离沉积材料的等离子体，其一端是接地的，另一端电开放；和一个射频发生器，提供射频电力给螺旋自谐振线圈。使用螺旋自谐振线圈使得IPVD装置能够在非常低的真空室压力——如接近0.1mTorr下激发和操作，并更有效的产生比常规IPVD装置更高浓度的等离子体。相应的，可以获得很高的沉积材料电离效率。