公开(公告)号：CN103187437A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210586975.8

申请日：2012-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋 ,  金基世

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/861 ,  H01L29/772 ,  H01L21/04 ,  H01L21/335 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及功率器件及功率器件的制造方法。功率器件包括：衬底；位于所述衬底的一个表面上的SiXC1-X层，其中0＜x＜1；以及通过刻蚀一部分所述SiXC1-X层并从所述SiXC1-X层的刻蚀区域处生长GaN而形成的再生长GaN层。

公开(公告)号：CN102915928A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210271354.0

申请日：2012-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋 ,  金基世 ,  李正熙 ,  任基植 ,  金东硕

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供了一种制造功率器件的方法，该方法可通过生长n-GaN而形成第二漂移区，从而晶体不会被破坏并且可确保可靠性。并且，可以不额外使用离子注入装置，从而可简化处理并且可降低成本。此外，第一漂移区和第二漂移区交替布置以形成n-GaN和p-GaN的超结结构，从而当施加反向电压时由于耗尽层的形成而提高了耐受电压。通过降低源电极接触层中的导通电阻，可增加电流密度。具有高于第二漂移区的n型掺杂剂掺杂浓度的n-GaN层可形成在第二漂移区上，并且功率器件能够进行常闭操作，从而可降低功耗。

公开(公告)号：CN103187378A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210585300.1

申请日：2012-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宪福 ,  金基世

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/4824 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，所述功率半导体器件包括：多个第一电极和多个第二电极、在第一绝缘层上并且与所述多个第一电极接触的多个第一通孔电极、在所述第一绝缘层上并且与所述多个第二电极接触的多个第二通孔电极、与所述多个第一通孔电极接触的第一电极焊盘、与所述多个第二通孔电极接触的第二电极焊盘、在第二绝缘层上并且与所述第一电极焊盘接触的多个第三通孔电极、在所述第二绝缘层上并且与所述第二电极焊盘接触的多个第四通孔电极、与所述多个第三通孔电极接触的第三电极焊盘、以及与所述多个第四通孔电极接触的第四电极焊盘。

公开(公告)号：CN102881726A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210241675.6

申请日：2012-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许承培 ,  金基世

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L23/4824 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/417 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了功率半导体器件以及其制造方法。该功率半导体器件包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极的外部处的绝缘层，该阳极电极包括阳极电极焊垫、电极汇流线、以及多个第一阳极电极指和多个第二阳极电极指，该电极汇流线连接到阳极电极焊垫上的第一侧和第二侧，该电极汇流线每个在离开阳极电极焊垫的方向上具有减小的宽度，该多个第一阳极电极指和该多个第二阳极电极指与阳极电极焊垫上的第三侧和第四侧连接并与电极汇流线的两侧连接，该阴极电极包括第一阴极电极焊垫和第二阴极电极焊垫、多个第一阴极电极指、以及多个第二阴极电极指，该多个第一阴极电极指与第一阴极电极焊垫连接，该多个第二阴极电极指与第二阴极电极焊垫连接。

公开(公告)号：CN102903755A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210265563.4

申请日：2012-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许承培 ,  李宪福 ,  金基世

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/41758 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种功率半导体器件。该功率半导体器件包括设置在器件有源区并在朝向第一侧的方向上变宽的源电极、与源电极交替布置在器件有源区并在朝向面对第一侧的第二侧的方向上变宽的漏电极、设置在源电极和漏电极上并被配置为包括接触源电极和漏电极的多个通路接触的绝缘层、设置在绝缘层上第一区内与源电极接触的源电极垫以及设置在绝缘层上与第一区隔开的第二区内并与接触漏电极的多个通路接触相接触的漏电极垫。