公开(公告)号：CN105679759A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510870476.5

申请日：2015-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供了如下的半导体器件。第一缓冲层设置在包括NMOS区和PMOS区的基板上。第一漏极和第一源极设置在第一缓冲层上并具有异质结构。第一沟道设置在第一漏极和第一源极之间。第一栅电极设置在第一沟道上。第二漏极和第二源极设置在第一缓冲层上。第二沟道设置在第二漏极和第二源极之间。第二沟道包括与第一沟道不同的材料。第二栅电极设置在第二沟道上。第一漏极、第一源极、第一沟道和第一栅电极设置在NMOS区中。第二漏极、第二源极、第二沟道和第二栅电极设置在PMOS区中。

公开(公告)号：CN103187452A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210593398.5

申请日：2012-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及氮化物基半导体器件及其制造方法。通过在势垒层上形成SixC1-xN功能层，氮化物基半导体器件可以改善势垒层的表面粗糙度，并且可以通过（例如）抑制铝（Al）和氧（O）在势垒层上彼此结合来降低表面泄漏电流。此外，当与其中势垒层和电极彼此直接接触的结构相比时，其中在势垒层和电极之间形成有所述SixC1-xN功能层的结构中的势垒可相对较低。因此，可以降低工作电压从而提高电流密度。

公开(公告)号：CN103579331A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310305879.6

申请日：2013-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02529 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/26 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种氮化物基半导体器件及其制造方法。在一种氮化物基半导体器件中，在氮化铝镓（AlGaN）层上形成未掺杂氮化镓（GaN）层，并且在未掺杂氮化镓层上形成硅氮化碳（SixC1-xN）功能层。

公开(公告)号：CN103247695A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310044202.1

申请日：2013-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋 ,  郑在现

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/872

Abstract: 本申请公开了一种氮化物基异质结半导体器件及其制造方法。所述氮化物基异质结半导体器件包括：布置在衬底上的氮化镓层；布置在所述氮化镓层上的铝掺杂氮化镓层；布置在所述铝掺杂氮化镓层上的第一区域中的肖特基电极；布置在所述铝掺杂氮化镓层上的第二区域中的氮化铝镓层；以及布置在所述氮化铝镓层上的欧姆电极。所述第一区域不同于所述第二区域。

公开(公告)号：CN1499194A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN03158419.5

申请日：2003-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋 ,  李在昌 ,  尹大成 ,  林根培

IPC: G01N27/02 ,  G01N27/30

CPC classification number: C12Q1/6825 ,  C12Q1/686 ,  G01N27/221 ,  C12Q2565/607 ,  C12Q2561/113 ,  C12Q2531/113

Abstract: 本发明提供了一种检测聚合酶链式反应(PCR)产物的方法。所述方法包括(a)在含PCR溶液容器中装配至少一对电极；(b)进行PCR；(c)在电极间产生电场；以及(d)检测PCR溶液中的电介质特性变化。因此，PCR产物可以进行实时检测。

公开(公告)号：CN105679826A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510881401.7

申请日：2015-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L27/02

Abstract: 提供一种半导体器件如下。基板包括NMOS区域和PMOS区域。第一沟槽和第二沟槽设置在NMOS区域中。第一缓冲层设置在第一沟槽和第二沟槽中。应力体设置在第一沟槽和第二沟槽中并设置在第一缓冲层上。第一沟道区设置在第一沟槽和第二沟槽之间并设置在基板中。第一栅电极设置在第一沟道区域上。第三沟槽设置在PMOS区域中。第二缓冲层设置在第三沟槽中。第二沟道区域设置在第三沟槽中，设置在第二缓冲层上，并具有与基板不同的半导体材料。第二栅电极设置在第二沟道区域上。

公开(公告)号：CN102881714B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210180130.9

申请日：2012-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 提供了一种功率器件。由于在形成第一氮化物层之后，第二氮化物层进一步形成在栅电极图案的下部上，所以功率器件在与栅电极图案对应的部分中可以不包括二维电子气体(2-DEG)层，因此，功率器件能够执行常关操作。因此，功率器件可以基于栅极的电压调节2-DEG层的生成，并且可以降低功耗。功率器件可以使仅对应于栅电极图案的部分再生长，或者可以蚀刻除了对应于栅电极图案的部分之外的部分，因此，可以省略凹进工艺，可以确保功率器件的再现性，并且可以简化制造工艺。

公开(公告)号：CN103579330A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310303593.4

申请日：2013-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋 ,  郭煐宣

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7783 ,  H01L2924/0002 ,  H01L29/26 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02529 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种氮化物基半导体器件及其制造方法，所述氮化物基半导体器件包括在衬底上的缓冲层、在缓冲层上的氮化物基半导体层、在氮化物基半导体层内的至少一个离子注入层以及在氮化物基半导体层上的沟道层。

公开(公告)号：CN102881714A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210180130.9

申请日：2012-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 提供了一种功率器件。由于在形成第一氮化物层之后，第二氮化物层进一步形成在栅电极图案的下部上，所以功率器件在与栅电极图案对应的部分中可以不包括二维电子气体(2-DEG)层，因此，功率器件能够执行常关操作。因此，功率器件可以基于栅极的电压调节2-DEG层的生成，并且可以降低功耗。功率器件可以使仅对应于栅电极图案的部分再生长，或者可以蚀刻除了对应于栅电极图案的部分之外的部分，因此，可以省略凹进工艺，可以确保功率器件的再现性，并且可以简化制造工艺。

公开(公告)号：CN105679825A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510684599.X

申请日：2015-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7378 ,  H01L29/7842 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0657

Abstract: 本发明提供了具有应力体的半导体器件。彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽形成在基板中。沟道区被限定在第一沟槽和第二沟槽之间。栅介电层形成在沟道区上。栅电极形成在栅介电层上。应力体包括形成在第一沟槽和第二沟槽中的多个半导体层以及形成在半导体层之间的多个夹层。第一沟槽和第二沟槽的侧壁是V形(例如，具有“ ”形状)。