公开(公告)号：CN112186038B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202010263663.8

申请日：2020-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金圭镇 ,  金熙中 ,  金俊秀 ,  李相昊 ,  赵在奂 ,  黄有商

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L23/528 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括：有源图案，在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开；器件隔离层，限定有源图案；绝缘结构，提供在有源图案之间以及在器件隔离层之间；以及栅极结构，设置在绝缘结构上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极结构可以包括上部分和下部分。栅极结构的下部分可以被绝缘结构包围。

公开(公告)号：CN112349719A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010644769.2

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵在奂 ,  李相昊 ,  黄有商

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/02

Abstract: 公开了包括支撑图案的半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件可以包括在衬底上的多个垂直结构以及接触所述多个垂直结构的侧壁的支撑图案。支撑图案可以包括延伸穿过支撑图案的多个支撑孔。所述多个支撑孔可以包括彼此间隔开的第一支撑孔和第二支撑孔，并且第一支撑孔可以具有与第二支撑孔的形状或尺寸不同的形状或尺寸。

公开(公告)号：CN113130748B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202011156646.0

申请日：2020-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵在奂 ,  吴正焕 ,  李相昊 ,  李准原 ,  裵珍宇 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，可以包括：衬底上的底部子电极；所述底部子电极上的顶部子电极；覆盖所述底部子电极和顶部子电极的介电层；以及所述介电层上的板电极。所述顶部子电极可以包括阶梯，所述阶梯从其与所述底部子电极相邻的侧表面延伸到所述顶部子电极的内部。所述顶部子电极可以包括比所述阶梯低的高度的下部和比所述阶梯高的高度的上部。所述下部的最大宽度可以比所述上部的最小宽度窄。所述下部的所述最大宽度可以比所述底部子电极的顶端的宽度窄。所述底部子电极可以在与所述顶部子电极相邻的区域中包括凹陷。

公开(公告)号：CN112186038A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010263663.8

申请日：2020-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金圭镇 ,  金熙中 ,  金俊秀 ,  李相昊 ,  赵在奂 ,  黄有商

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L23/528 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括：有源图案，在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开；器件隔离层，限定有源图案；绝缘结构，提供在有源图案之间以及在器件隔离层之间；以及栅极结构，设置在绝缘结构上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极结构可以包括上部分和下部分。栅极结构的下部分可以被绝缘结构包围。

公开(公告)号：CN112349719B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202010644769.2

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵在奂 ,  李相昊 ,  黄有商

IPC: H10B12/00 ,  H10D89/10

Abstract: 公开了包括支撑图案的半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件可以包括在衬底上的多个垂直结构以及接触所述多个垂直结构的侧壁的支撑图案。支撑图案可以包括延伸穿过支撑图案的多个支撑孔。所述多个支撑孔可以包括彼此间隔开的第一支撑孔和第二支撑孔，并且第一支撑孔可以具有与第二支撑孔的形状或尺寸不同的形状或尺寸。

公开(公告)号：CN113130748A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011156646.0

申请日：2020-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵在奂 ,  吴正焕 ,  李相昊 ,  李准原 ,  裵珍宇 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件，可以包括：衬底上的底部子电极；所述底部子电极上的顶部子电极；覆盖所述底部子电极和顶部子电极的介电层；以及所述介电层上的板电极。所述顶部子电极可以包括阶梯，所述阶梯从其与所述底部子电极相邻的侧表面延伸到所述顶部子电极的内部。所述顶部子电极可以包括比所述阶梯低的高度的下部和比所述阶梯高的高度的上部。所述下部的最大宽度可以比所述上部的最小宽度窄。所述下部的所述最大宽度可以比所述底部子电极的顶端的宽度窄。所述底部子电极可以在与所述顶部子电极相邻的区域中包括凹陷。

公开(公告)号：CN112054027A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010257913.7

申请日：2020-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  金根楠 ,  金熙中 ,  朴素贤 ,  赵在奂 ,  黄有商

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；在基板上的位线结构；接触插塞结构，与位线结构相邻并且沿垂直于基板的上表面的竖直方向延伸；以及电容器，电连接到接触插塞结构。接触插塞结构包括顺序堆叠在基板上的下接触插塞、金属硅化物图案和上接触插塞。金属硅化物图案具有L形横截面。