公开(公告)号：CN120018494A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411609068.X

申请日：2024-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤根 ,  朴台镇 ,  金锡来 ,  金千培 ,  林晟洙 ,  张有娜 ,  郑贤容

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一结构，具有存储块区域和延伸区域；以及第二结构，具有外围电路区域。所述第一结构包括存储单元和字线。所述第二结构包括：半导体主体；贯通绝缘图案，位于所述半导体主体中；以及外围晶体管。所述第一结构和所述第二结构包括将所述字线电连接到所述外围晶体管的字线信号路径。所述字线信号路径包括：字线接触，在所述延伸区域中与所述字线接触；字线布线下结构，电连接到所述字线接触并且从所述延伸区域延伸到所述存储块区域中；以及字线布线连接结构，将所述字线布线下结构电连接到所述字线布线外围结构。

公开(公告)号：CN120018493A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411602570.8

申请日：2024-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大善 ,  金锡来 ,  金千培 ,  朴荣奭 ,  朴台镇 ,  尹炫喆 ,  李贤奎 ,  林晟洙 ,  崔贤根

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：顺序排列的第一连接区域、第一存储块区域和第二连接区域；第一外围电路区域，所述第一外围电路区域与所述第一存储块区域垂直地交叠；第一存储单元，其位于所述第一存储块区域中；第一字线，其穿越所述第一存储块区域延伸到所述第一连接区域和所述第二连接区域中，并且电连接到所述第一存储单元；第一子字线驱动器，其位于所述第一外围电路区域中；以及第一字线信号路径，其电连接所述第一字线和所述第一子字线驱动器。所述第一字线信号路径包括在所述第一连接区域中耦接到所述第一字线的至少一个第一布线接触和在所述第二连接区域中耦接到所述第一字线的至少一个第二布线接触。

公开(公告)号：CN114335341A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111174455.1

申请日：2021-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金千培 ,  金昇辰 ,  李东均

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：多个下电极，在半导体衬底上布置成蜂巢结构；以及支撑件，连接到所述多个下电极并限定多个开口区域，所述多个下电极通过所述多个开口区域暴露。所述多个开口区域中的每个的中心点布置在由所述多个下电极当中的三个对应的相邻下电极的中心点形成的三角形的重心处。