公开(公告)号：CN120018494A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411609068.X

申请日：2024-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤根 ,  朴台镇 ,  金锡来 ,  金千培 ,  林晟洙 ,  张有娜 ,  郑贤容

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一结构，具有存储块区域和延伸区域；以及第二结构，具有外围电路区域。所述第一结构包括存储单元和字线。所述第二结构包括：半导体主体；贯通绝缘图案，位于所述半导体主体中；以及外围晶体管。所述第一结构和所述第二结构包括将所述字线电连接到所述外围晶体管的字线信号路径。所述字线信号路径包括：字线接触，在所述延伸区域中与所述字线接触；字线布线下结构，电连接到所述字线接触并且从所述延伸区域延伸到所述存储块区域中；以及字线布线连接结构，将所述字线布线下结构电连接到所述字线布线外围结构。

公开(公告)号：CN115775801A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210592304.6

申请日：2022-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑鲁永 ,  金兑谦 ,  郑贤容 ,  李尚和 ,  郑柄济

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了半导体装置和制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：位于基底上的逻辑单元和位于逻辑单元上的第一金属层。第一金属层包括第一电力线和第二电力线以及在第一电力线与第二电力线之间的第一布线轨道至第三布线轨道上的第一下线至第三下线。第一布线轨道至第三布线轨道在第一方向上平行延伸。第一下线包括在第一方向上彼此间隔开第一距离的第一线和第二线。第三下线包括在第一方向上间隔开第二距离的第三线和第四线。第一线具有面对第二线的第一端。第三线具有面对第四线的第二端。第一端处的曲率与第二端处的曲率基本上相同。