公开(公告)号：CN119012689A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410429106.7

申请日：2024-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊培

IPC: H10B12/00 ,  H10B80/00 ,  H01L27/02 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/482 ,  H01L23/535

Abstract: 提供了一种半导体装置和一种半导体封装件。该半导体装置包括：半导体衬底；外围电路区域，其包括输入/输出电路、中心静电放电(ESD)箝位电路和控制逻辑；中心焊盘，其在与半导体衬底的上表面正交的竖直方向上位于外围电路区域上方，并且电连接至输入/输出电路和中心ESD箝位电路；边缘焊盘，其邻近于半导体衬底的第一边缘且在竖直方向上高于多个中心焊盘；以及再分布图案，其连接至多个边缘焊盘，并且在平行于半导体衬底的上表面的第一方向上延伸。再分布图案中的至少一个再分布图案在第一方向上在中心焊盘的两侧通过最上面的穿通件连接至与中心焊盘位于相同高度的至少一个最上面的布线图案。

公开(公告)号：CN110783215A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910675475.3

申请日：2019-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊培 ,  赵容晧

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及测试半导体器件的系统和方法以及制造半导体器件的方法。该半导体器件测试系统可以包括：主体，提供其中装载测试器件的内部空间；以及盖，联接到主体以覆盖内部空间。盖可以包括第一盖和第二盖，第一盖包括二维布置的第一开口，第二盖包括二维布置的第二开口。第一开口的布置可以不同于第二开口的布置。

公开(公告)号：CN110783215B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201910675475.3

申请日：2019-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊培 ,  赵容晧

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及测试半导体器件的系统和方法以及制造半导体器件的方法。该半导体器件测试系统可以包括：主体，提供其中装载测试器件的内部空间；以及盖，联接到主体以覆盖内部空间。盖可以包括第一盖和第二盖，第一盖包括二维布置的第一开口，第二盖包括二维布置的第二开口。第一开口的布置可以不同于第二开口的布置。

公开(公告)号：CN117337034A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310801766.9

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在弼 ,  金俊培

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体装置包括：下结构；下结构上的数据储存结构；以及下结构上的电感器结构，其中，数据储存结构包括：第一电极，其在垂直于下结构的上表面的竖直方向上延伸；第二电极，其设置在第一电极上；以及第一电极与第二电极之间的电介质层，并且其中，电感器结构包括位于与第一电极的水平高度实质上相同的水平高度处的电感器导电图案。

公开(公告)号：CN119361582A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202410949185.4

申请日：2024-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊培 ,  闵丙国 ,  成侑昶

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装件包括：封装基板，所述封装基板包括上焊盘、下焊盘和第一布线层，所述第一布线层将所述上焊盘中的第一上焊盘分别电连接到所述下焊盘中的第一下焊盘；半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述封装基板上并电连接到所述第一上焊盘；密封剂，所述密封剂覆盖所述半导体芯片和所述封装基板的至少一部分；第一导电层，所述第一导电层覆盖所述密封剂和所述封装基板中的每一者的至少一部分，其中所述第一导电层被配置为被施加第一电压；电介质层，所述电介质层堆叠在所述第一导电层上；以及第二导电层，所述第二导电层堆叠在所述电介质层上，其中所述第二导电层被配置为被施加第二电压。

公开(公告)号：CN118610194A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410249645.2

申请日：2024-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊培 ,  金泰焕 ,  黄熙情

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H10B80/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了电子器件及其制造方法。所述电子器件包括：基底基板；第一封装件，安装在所述基底基板上，所述第一封装件包括第一基板和安装在所述第一基板上的第一半导体芯片；第二封装件，安装在所述第一封装件上，所述第二封装件包括第二基板、安装在所述第二基板上的第二半导体芯片、围绕所述第二基板的上表面和所述第二半导体芯片的密封材料；以及共形导电涂层，形成在所述密封材料的至少上表面上。导电固定部牢靠地固定到在所述基底基板的上表面处暴露的接地焊盘。屏蔽罩通过所述导电固定部牢靠地固定到所述基底基板并且包括围绕所述第一封装件和所述第二封装件延伸的侧部。金属膏形成在所述屏蔽罩与所述共形导电涂层之间以接触所述屏蔽罩和所述共形导电涂层。

公开(公告)号：CN117438409A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310715013.6

申请日：2023-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在弼 ,  金俊培 ,  朴珍宽

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括基底、包括布置在基底上的电路元件的元件层、在元件层上的布线层和在布线层上的再分布层。再分布层可以包括再分布绝缘层和在再分布绝缘层上的再分布导电层。再分布导电层可以包括：连接垫；以及第一电感器结构和第二电感器结构，分别包括具有平面线圈形状的第一电感器再分布线和第二电感器再分布线。分别包括在第一电感器结构和第二电感器结构中的第一电感器再分布线和第二电感器再分布线可以具有不同厚度。