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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107507823A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710443435.7
申请日：2017-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/528 , H01L21/02
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/561 , H01L23/295 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/16 , H01L2224/16227 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H01L2224/81 , H01L21/02697 , H01L23/5286
Abstract: 本发明概念的实施例提供一种用于制造半导体封装的方法。方法包含提供包括衬底、半导体芯片和模塑层的封装，所述衬底包括在所述衬底的一个表面处暴露的接地图案；以及将包含金属粒子和导电碳材料的溶液涂覆到所述模塑层上以形成屏蔽层。所述屏蔽层包括：所述金属粒子；以及连接到所述金属粒子中的至少一个金属粒子的所述导电碳材料。所述屏蔽层延伸到所述衬底的所述一个表面上且电连接到所述接地图案。
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公开(公告)号：CN119361582A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410949185.4
申请日：2024-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装件包括：封装基板，所述封装基板包括上焊盘、下焊盘和第一布线层，所述第一布线层将所述上焊盘中的第一上焊盘分别电连接到所述下焊盘中的第一下焊盘；半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述封装基板上并电连接到所述第一上焊盘；密封剂，所述密封剂覆盖所述半导体芯片和所述封装基板的至少一部分；第一导电层，所述第一导电层覆盖所述密封剂和所述封装基板中的每一者的至少一部分，其中所述第一导电层被配置为被施加第一电压；电介质层，所述电介质层堆叠在所述第一导电层上；以及第二导电层，所述第二导电层堆叠在所述电介质层上，其中所述第二导电层被配置为被施加第二电压。
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公开(公告)号：CN107507823B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201710443435.7
申请日：2017-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/528 , H01L21/02
Abstract: 本发明概念的实施例提供一种用于制造半导体封装的方法。方法包含提供包括衬底、半导体芯片和模塑层的封装，所述衬底包括在所述衬底的一个表面处暴露的接地图案；以及将包含金属粒子和导电碳材料的溶液涂覆到所述模塑层上以形成屏蔽层。所述屏蔽层包括：所述金属粒子；以及连接到所述金属粒子中的至少一个金属粒子的所述导电碳材料。所述屏蔽层延伸到所述衬底的所述一个表面上且电连接到所述接地图案。
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