-
公开(公告)号：CN112117287A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010227364.9
申请日：2020-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括基底、网格结构和滤色器。基底包括限定像素区域的像素分离结构和针对每个像素区域的子像素区域。网格结构设置在基底上，并且包括设置在子像素区域之间的第一栅栏部分和设置在相邻的像素区域之间的第二栅栏部分。网格结构限定分别与子像素区域对应的开口。滤色器设置在由网格结构限定的开口中。每个滤色器具有平坦的顶表面，每个滤色器的平坦的顶表面平行于其底表面。
-
公开(公告)号：CN115692437A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210430134.1
申请日：2022-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器。该图像传感器包括在竖直方向上顺序堆叠的第一结构、第二结构和第三结构。第一结构包括第一基底和设置在第一基底上的至少一个第一晶体管。第二结构包括第二基底和设置在第二基底上的至少一个第二晶体管。第三结构包括：第三基底，包括光入射在其上的上表面以及与上表面相对的下表面；光电转换区域，设置在第三基底中；传输栅极，设置在第三基底的下表面上；以及反射结构，设置在第三基底的下表面上以及传输栅极的下表面和侧表面上。
-
公开(公告)号：CN118116940A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311168005.0
申请日：2023-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/76
Abstract: 发明构思提供了其中降低了贯通电极与垫之间的未对准并且降低了相邻垫之间的耦合噪声的三层堆叠式图像传感器及其制造方法。三层堆叠式图像传感器包括：上部芯片，包括以二维阵列结构布置的像素和第一布线层，每个像素包括光电二极管、传输栅极和浮置扩散区域；中间芯片，包括与每个像素对应的源极跟随器栅极、选择栅极和复位栅极、第一硅层以及第二布线层；以及下部芯片，包括图像传感器处理器、第三布线层和第二硅层，从第二布线层延伸穿过第一硅层的贯通电极的上部部分的剖面具有倒梯形结构。
-
公开(公告)号：CN117352524A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310662234.1
申请日：2023-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：第一基底，其中集成有一晶体管；以及第一多个布线结构，在第一基底上。第一多个布线结构包括电连接到第一晶体管的第一布线结构。第二基底在第一多个布线结构上延伸并具有集成在其中的第二晶体管，第二晶体管电连接到第一多个布线结构内的第二布线结构。第二多个布线结构在第二基底上延伸。第三基底设置在第二多个布线结构上。微透镜在第三基底的光接收表面上延伸。光感测元件在第三基底内延伸。传输栅极(TG)延伸到第三基底的一部分中，与光感测元件相邻地延伸并电连接到第二多个布线结构内的第一布线结构。浮置扩散(FD)区域在第三基底内延伸并与TG相邻。FD区域电连接到第二多个布线结构内的第二布线结构。
-
公开(公告)号：CN116525627A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310061278.9
申请日：2023-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括第一结构和在竖直方向上堆叠在第一结构上的第二结构，第一结构包括分别与第一浮置扩散区域和第二浮置扩散区域电连接的第一像素焊盘和第二像素焊盘以及在第一像素焊盘与第二像素焊盘之间贯穿并且与第一接地结构电连接的第一耦合抑制线，第二结构包括分别与第一源极跟随器栅极和第二源极跟随器栅极电连接的第三像素焊盘和第四像素焊盘以及在第三像素焊盘与第四像素焊盘之间贯穿并且与第二接地结构电连接的第二耦合抑制线。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116110917A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211397051.3
申请日：2022-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 一种图像传感器包括包含多个光电转换元件的基板和设置在基板上的可变滤光器层。可变滤光器层包括：多个第一电极，在第一方向上延伸并在第二方向上具有第一宽度；设置在所述多个第一电极上的第一电光材料层；设置在第一电光材料层上的透光电极；设置在透光电极上的第二电光材料层、以及多个第二电极，设置在第二电光材料层上，在第二方向上延伸，并在第一方向上具有第二宽度。
-
公开(公告)号：CN117641963A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311100420.2
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K39/32 , H10K39/38 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的下基底，设置在第一表面上的下电路器件，电连接到第一表面上的下电路器件的下布线结构，在第二表面上的下键合垫，在下键合垫和下布线结构之间穿过下基底的下键合过孔，设置在第一表面上并接触下键合过孔的着陆结构，在下键合垫上键合到下键合垫的上键合垫以及设置在上键合垫上并包括光电转换器件的上基底。着陆结构的至少一部分水平重叠下电路器件。
-
公开(公告)号：CN115706122A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210556608.7
申请日：2022-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括在第一方向上彼此相邻的第一像素域和第二像素域，所述第一像素域包括第一像素并且所述第二像素域包括第二像素；第一滤色器，所述第一滤色器设置在所述衬底的第一表面上，并与所述第一像素垂直地交叠；第一微透镜，所述第一微透镜设置在所述第一滤色器和每个所述第一像素上；以及第二微透镜，所述第二微透镜设置在所述衬底的所述第一表面上，并与每个所述第二像素的至少一部分垂直地交叠，其中，所述第二微透镜的第二折射率大于所述第一微透镜的第一折射率，其中，所述第一微透镜的最上部分与所述第二微透镜的最上部分之间的水平高度差小于等于所述第一微透镜的最大高度的大约2％。
-
公开(公告)号：CN114551484A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111174311.6
申请日：2021-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。该图像传感器包括：第一芯片，包括像素区域、垫区域和置于像素区域与垫区域之间的光学黑色区域；以及第二芯片，与第一芯片的第一表面接触，并且包括用于驱动第一芯片的电路。第一芯片包括：第一基底，器件隔离部，设置在第一基底中，并且限定单元像素；层间绝缘层，置于第一基底与第二芯片之间；连接布线结构，设置在层间绝缘层中；以及连接接触插塞，设置在层间绝缘层中，并且在光学黑色区域中将连接布线结构连接到器件隔离部。图像传感器还包括设置在第一芯片或第二芯片中的导电垫。
-
公开(公告)号：CN114078890A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110787364.9
申请日：2021-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：第一芯片，所述第一芯片包括像素区和焊盘区；以及第二芯片，所述第二芯片与所述第一芯片的一个表面接触并且包括驱动所述第一芯片的电路。所述第一芯片包括：第一衬底；层间绝缘层，设置在所述第一衬底和所述第二芯片之间；第一互连线，设置在所述层间绝缘层中；导电焊盘，在所述焊盘区中设置在所述第二芯片和所述第一互连线之间；以及凹陷区，形成在所述焊盘区中，所述凹陷区穿透所述第一衬底和所述层间绝缘层并且暴露所述导电焊盘。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.021 seconds)
