公开(公告)号：CN105006483A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510194427.4

申请日：2015-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李馥英 ,  李正允 ,  金东贤 ,  金明哲 ,  韩东佑

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一有源鳍和第二有源鳍，它们从衬底突出并沿着第一方向延伸；第一栅极结构，其位于第一有源鳍上以沿着与第一方向交叉的第二方向延伸；第二栅极结构，其布置为在第二方向上邻近于第一栅极结构，并且位于第二有源鳍上以沿着第二方向延伸；以及伪结构，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的空间中。

公开(公告)号：CN114765211A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202210049811.5

申请日：2022-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李馥英 ,  吴怜默 ,  李亨求 ,  丁海建 ,  河承模

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底；第一基鳍，其从衬底突出并在第一方向上延伸；以及第一鳍型图案，其从第一基鳍突出并在第一方向上延伸。第一基鳍包括第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁在第一方向上延伸，第一侧壁与第二侧壁相对，第一基鳍的第一侧壁至少部分地限定第一深沟槽，第一基鳍的第二侧壁至少部分地限定第二深沟槽，并且第一深沟槽的深度大于第二深沟槽的深度。

公开(公告)号：CN104851909B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201510063625.7

申请日：2015-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑荣钟 ,  李正允 ,  金东贤 ,  李馥英

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了具有包括多个段的源极/漏极区的集成电路器件。集成电路器件可以包括在基板上的栅极结构以及在邻近栅极结构的基板中的源极/漏极区。源极/漏极区可以包括侧壁，该侧壁包括多个弯曲的侧壁部分。

公开(公告)号：CN105006483B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201510194427.4

申请日：2015-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李馥英 ,  李正允 ,  金东贤 ,  金明哲 ,  韩东佑

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一有源鳍和第二有源鳍，它们从衬底突出并沿着第一方向延伸；第一栅极结构，其位于第一有源鳍上以沿着与第一方向交叉的第二方向延伸；第二栅极结构，其布置为在第二方向上邻近于第一栅极结构，并且位于第二有源鳍上以沿着第二方向延伸；以及伪结构，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的空间中。

公开(公告)号：CN104851909A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510063625.7

申请日：2015-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑荣钟 ,  李正允 ,  金东贤 ,  李馥英

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本公开提供了具有包括多个段的源极/漏极区的集成电路器件。集成电路器件可以包括在基板上的栅极结构以及在邻近栅极结构的基板中的源极/漏极区。源极/漏极区可以包括侧壁，该侧壁包括多个弯曲的侧壁部分。

公开(公告)号：CN114628393A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111374019.9

申请日：2021-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁海建 ,  权兑勇 ,  梁光容 ,  吴怜默 ,  李馥英 ,  河承模 ,  李亨求

IPC: H01L27/11

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元和第二存储单元在第一方向上彼此相邻；第一至第四存储鳍，在第一存储单元中在第一方向上彼此相邻，第一至第四存储鳍从衬底突出；第五至第八存储鳍，在第二存储单元中在第一方向上彼此相邻，第五至第八存储鳍从衬底突出；以及第一浅器件隔离层，在第四存储鳍和第五存储鳍之间，第一浅器件隔离层的侧壁具有拐点。

公开(公告)号：CN114334962A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111110486.0

申请日：2021-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟淳 ,  朴钟撤 ,  李馥英 ,  李正允 ,  李亨求 ,  郑然镀 ,  丁海建

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/77 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，包括：位于衬底上的器件隔离层；图案组，包括在第一方向上延伸的鳍图案；以及栅结构，在第二方向上延伸以与鳍图案相交。图案组中的第一图案组可以包括第一鳍图案。第一鳍图案的至少一部分可以在第二方向上以第一间距布置。第一图案组可以包括从第一凹陷部延伸的第一平坦部。第一凹陷部的中心轴可以在第二方向上与第一鳍图案中的一个的中心轴间隔开第一距离。第一平坦部可以在第二方向上具有第一宽度，第一宽度大于第一间距。第一距离可以是第一间距的约0.8倍至约1.2倍。