半导体晶片的热处理装置

    公开(公告)号:CN1089487C

    公开(公告)日:2002-08-21

    申请号:CN97111265.7

    申请日:1997-05-03

    CPC classification number: H01L21/67781

    Abstract: 本发明涉及半导体晶片未测试电阻之前,对晶片进行热处理的装置。该热处理装置包括:一种半导体晶片的热处理装置,用该装置对半导体晶片进行成批热处理,其包括:一个带加热室、等待室及与其连为一体的盒体台面的工作台;一个放在所述加热室中装有晶片的加热盘;一个在等待室和加热室之间移动的加热盘输送装置,用于输送所述的加热盘;用于将盒体中的晶片送至所述加热盘的晶片装料机构;用于将加热盘中的晶片卸出放到盒体中的晶片卸料机构;设在加热室和等待室之间的加热门,和设在等待室和盒体台面之间的前门。

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