公开(公告)号：CN103579330A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310303593.4

申请日：2013-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋 ,  郭煐宣

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7783 ,  H01L2924/0002 ,  H01L29/26 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02529 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种氮化物基半导体器件及其制造方法，所述氮化物基半导体器件包括在衬底上的缓冲层、在缓冲层上的氮化物基半导体层、在氮化物基半导体层内的至少一个离子注入层以及在氮化物基半导体层上的沟道层。

公开(公告)号：CN105489735A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510642515.6

申请日：2015-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑·拉斐尔 ,  林在亨 ,  郭煐宣

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/502 ,  G01B11/0658 ,  H01L22/24 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/486 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/48 ,  H01L33/507

Abstract: 本发明涉及一种制造发光器件封装件的方法，该方法包括：制备包括第一表面和相对第一表面设置的第二表面的承载件；在承载件的第一表面上形成磷光体层；将第一光从测试发光器件朝着承载件的第二表面发射；对穿过磷光体层的第二光进行分析；以及基于所述分析确定磷光体层的厚度。

公开(公告)号：CN105489735B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201510642515.6

申请日：2015-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑·拉斐尔 ,  林在亨 ,  郭煐宣

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/502 ,  G01B11/0658 ,  H01L22/24 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/486 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种制造发光器件封装件的方法，该方法包括：制备包括第一表面和相对第一表面设置的第二表面的承载件；在承载件的第一表面上形成磷光体层；将第一光从测试发光器件朝着承载件的第二表面发射；对穿过磷光体层的第二光进行分析；以及基于所述分析确定磷光体层的厚度。