公开(公告)号：CN119247699A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202410622273.3

申请日：2024-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金岛辉 ,  郭旻哲 ,  尹俊盛 ,  李汀镇 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种优化重叠测量条件的方法，包括：对于多个重叠测量条件中的每个重叠测量条件，测量衬底的多个位置的重叠；对于多个重叠测量条件中的每一个，基于测量的重叠计算关键参数指数(KPI)；对于多个重叠测量条件中的每一个，将KPI转换为基于KPF的关键参数函数(KPF)值，其中，KPF中的每一个具有相同的维度表示；对于多个重叠测量条件中的每一个，整合KPF值以生成整合KPF值；以及基于与多个重叠测量条件中的每一个相关联的整合KPF值，从多个重叠测量条件当中选择优化的重叠测量条件。

公开(公告)号：CN118033984A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311459747.9

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑羽容 ,  金岛辉 ,  金俊贤 ,  李汀镇 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了一种用于有效校正由于晶片台退化引起的叠加的叠加校正方法，以及包括该叠加校正方法的曝光方法和半导体器件制造方法，其中该叠加校正方法包括：获取关于晶片的水准数据；将水准数据转换成叠加数据；通过照射尺寸分割将照射分割成子照射；从叠加数据提取针对每个子照射的模型；以及基于针对每个子照射的模型来校正曝光设备的叠加参数，其中以前馈方法将叠加参数的校正实时应用于晶片的曝光工艺。