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公开(公告)号：CN118055683A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311471276.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁阻式随机存取存储器器件包括：衬底；位于所述衬底上的导电图案；绝缘中间层，所述绝缘中间层覆盖所述导电图案；下电极接触，所述下电极接触穿过所述绝缘中间层，并且接触所述导电图案；位于所述下电极接触上的下电极，所述下电极包括倒圆侧壁；以及位于所述下电极上的存储器结构，所述存储器结构包括堆叠的MTJ结构和上电极。其中，所述下电极的宽度从下部向上部增大，所述存储器结构具有侧壁斜度使得所述存储器结构的宽度从上部向下部增大，并且所述下电极的侧壁的至少一部分被所述绝缘中间层覆盖。
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公开(公告)号：CN116390496A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211693867.0
申请日：2022-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造存储器件的方法包括：在彼此之上顺序形成第一磁化层、隧道势垒层和第二磁化层；通过图案化第一磁化层、隧道势垒层和第二磁化层来形成磁隧道结结构；通过蚀刻覆盖磁隧道结结构的侧壁的再沉积金属的一部分来形成侧壁金属层；执行氧化操作，该氧化操作包括氧化侧壁金属层的暴露表面以提供氧化的侧壁金属层；以及执行照射操作，该照射操作包括朝向氧化的侧壁金属层照射离子束。通过交替地执行氧化操作和照射操作两次或更多次来形成覆盖磁隧道结结构的侧壁的侧壁绝缘层。
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公开(公告)号：CN114914269A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210106249.5
申请日：2022-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；数据存储图案，在第一区域上并且在第一方向上彼此间隔开；上绝缘层，在第一区域和第二区域上以及数据存储图案上；单元线结构，穿透第一区域上的上绝缘层，在第一方向上延伸，并且电连接到数据存储图案；以及上连接结构，穿透第二区域上的上绝缘层。上连接结构包括上导线和沿着上导线的底表面布置的上导电接触。上导线的底表面位于比单元线结构的底表面高的高度。单元线结构的侧表面具有连续延伸的直线形状。
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