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公开(公告)号：CN116096097A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211324354.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围区域；在单元区域和外围区域上的互连线，互连线在垂直于衬底的顶表面的第一方向上与衬底间隔开；在单元区域和外围区域上的下绝缘层，下绝缘层覆盖互连线，在单元区域上的下绝缘层的顶表面处于比互连线中的最上面的互连线的顶表面低的高度处；以及在单元区域上的下绝缘层上的数据存储图案，数据存储图案彼此水平地间隔开，数据存储图案直接连接到在单元区域上的最上面的互连线的顶表面。
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公开(公告)号：CN116390496A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211693867.0
申请日：2022-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造存储器件的方法包括：在彼此之上顺序形成第一磁化层、隧道势垒层和第二磁化层；通过图案化第一磁化层、隧道势垒层和第二磁化层来形成磁隧道结结构；通过蚀刻覆盖磁隧道结结构的侧壁的再沉积金属的一部分来形成侧壁金属层；执行氧化操作，该氧化操作包括氧化侧壁金属层的暴露表面以提供氧化的侧壁金属层；以及执行照射操作，该照射操作包括朝向氧化的侧壁金属层照射离子束。通过交替地执行氧化操作和照射操作两次或更多次来形成覆盖磁隧道结结构的侧壁的侧壁绝缘层。
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公开(公告)号：CN118055683A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311471276.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁阻式随机存取存储器器件包括：衬底；位于所述衬底上的导电图案；绝缘中间层，所述绝缘中间层覆盖所述导电图案；下电极接触，所述下电极接触穿过所述绝缘中间层，并且接触所述导电图案；位于所述下电极接触上的下电极，所述下电极包括倒圆侧壁；以及位于所述下电极上的存储器结构，所述存储器结构包括堆叠的MTJ结构和上电极。其中，所述下电极的宽度从下部向上部增大，所述存储器结构具有侧壁斜度使得所述存储器结构的宽度从上部向下部增大，并且所述下电极的侧壁的至少一部分被所述绝缘中间层覆盖。
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