公开(公告)号：CN118553716A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311487028.8

申请日：2023-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许廷焕 ,  金昊炫 ,  罗睿真 ,  刘俊埴 ,  尹泰景 ,  郑有真 ,  崔溶俊

IPC: H01L23/528 ,  H01L29/04 ,  H01L21/768

Abstract: 描述了一种半导体器件，包括有源图案、有源图案上的附加有源层、以及跨有源图案延伸的栅结构。附加有源层包括连接到有源图案的侧壁的底表面、以及在比底表面的水平高的水平处的上弯曲表面。附加有源层的晶格常数与有源图案的晶格常数不同。

公开(公告)号：CN110890263A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910515871.X

申请日：2019-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛承敃 ,  金石训 ,  金伶厚 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  朴晟见 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种干法清洗设备包括：腔室；基板支撑件，支撑腔室内的基板；喷头，布置在腔室的上部，以朝向基板供应干法清洗气体，喷头包括朝向基板支撑件的方向透射激光的光学窗口；等离子体发生器，被配置为从干法清洗气体产生等离子体；以及激光照射器，穿过光学窗口和等离子体在基板上照射激光，从而加热基板。

公开(公告)号：CN110875225A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910831544.5

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李轸雨 ,  崔溶俊 ,  金石训 ,  辛承敃 ,  车知勋

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种湿法蚀刻设备包括工艺槽，其具有被配置为接纳蚀刻剂的内部空间并具有支撑单元，晶圆被设置在该支撑单元上以与蚀刻剂接触。激光单元被设置在工艺槽上方并被配置为将激光束指向晶圆并由此对晶圆进行加热。蚀刻剂供应单元被配置为将蚀刻剂供应到工艺槽的内部空间。

公开(公告)号：CN110875225B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN201910831544.5

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李轸雨 ,  崔溶俊 ,  金石训 ,  辛承敃 ,  车知勋

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种湿法蚀刻设备包括工艺槽，其具有被配置为接纳蚀刻剂的内部空间并具有支撑单元，晶圆被设置在该支撑单元上以与蚀刻剂接触。激光单元被设置在工艺槽上方并被配置为将激光束指向晶圆并由此对晶圆进行加热。蚀刻剂供应单元被配置为将蚀刻剂供应到工艺槽的内部空间。

公开(公告)号：CN111834249A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010169351.0

申请日：2020-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宪宰 ,  辛承敃 ,  金石训 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  李根泽 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种晶片清洗设备包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块输出激光束，所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域，所述激光束被输出到所述中空区域中；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部，并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

公开(公告)号：CN111834249B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202010169351.0

申请日：2020-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宪宰 ,  辛承敃 ,  金石训 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  李根泽 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种晶片清洗设备包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块输出激光束，所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域，所述激光束被输出到所述中空区域中；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部，并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

公开(公告)号：CN111524827A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201911364983.6

申请日：2019-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车知勳 ,  李轸雨 ,  金石训 ,  金仁基 ,  辛承敃 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 提供了一种半导体器件制造设备。所述半导体器件制造设备包括：旋转器，被构造为保持晶圆；喷嘴，被构造为将液体化学品供应到晶圆的上表面上；以及激光模块，被构造为在喷嘴将液体化学品供应到晶圆的上表面上的同时通过将激光束辐射到晶圆的下表面来加热晶圆。

公开(公告)号：CN110176408A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201811300516.2

申请日：2018-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  朴晟见 ,  卢炫佑 ,  车知勳 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67 ,  B01D35/02 ,  B01D35/16

Abstract: 提供了液体化学回收系统、液体化学供应系统和制造半导体装置的方法。液体化学回收系统包括：缓冲槽，从外部接收第一液体化学品；真空槽，具有连接至此的真空泵并使用真空泵从缓冲槽接收第一液体化学品；以及回收槽，从真空槽接收第一液体化学品并向外部提供作为回收的第一液体化学品的第二液体化学品，其中，缓冲槽包括提供第一液体化学品的第一注入部分以及将第一液体化学品提供到真空槽的第一供应部分，并且缓冲槽的底部朝向第一供应部分向下倾斜，以防止包含在第一液体化学品中的物质积累在缓冲槽中。