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公开(公告)号：CN119835937A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411104438.4
申请日：2024-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了存储器装置。所述存储器装置包括：多个子阵列区域，在第一水平方向和第二水平方向上间隔布置，并且每个子阵列区域包括多个存储器单元，第一水平方向与第二水平方向交叉；虚设区域，设置在所述多个子阵列区域之间，虚设区域包括在第一层处在第一水平方向上延伸的第一金属图案、在第一金属图案的第一部分上在竖直方向上延伸的第一下接触件、以及在第一金属图案的第二部分上在竖直方向上延伸的第二下接触件；以及外围电路区域，包括连接到第一下接触件的第一上接触件、连接到第一上接触件的第一电路、连接到第二下接触件的第二上接触件、以及连接到第二上接触件的第二电路。
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公开(公告)号：CN119905129A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411455884.X
申请日：2024-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 示例存储器器件包括第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层包括存储器单元阵列、第一键合焊盘和第一测试焊盘。第二半导体层相对于第一半导体层在垂直方向上设置，并且包括外围电路、连接到第一键合焊盘的第二键合焊盘、连接到第一测试焊盘的第二测试焊盘、以及测试电路。测试电路检查第一键合焊盘和第二键合焊盘的连接状态。测试电路通过第一测试焊盘和第二测试焊盘接收第一测试信号，基于第一测试信号生成表示第一键合焊盘和第二键合焊盘之间的第一未对准的第一测试结果信号，并且基于第一测试结果信号补偿外围电路的操作。
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公开(公告)号：CN109726141B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201811173829.6
申请日：2018-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
Abstract: 提供了一种用于防止对故障地址重复编程的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：第一故障地址寄存器，存储故障地址；输入地址寄存器，存储输入地址；数据比较电路，将要存储在与输入地址对应的存储单元中的写入数据与从存储单元读取的读取数据进行比较；地址比较电路，将故障地址与输入地址进行比较；以及第二故障地址寄存器，基于写入数据与读取数据的第一比较结果以及故障地址与输入地址的第二比较结果并行地存储故障地址的位。
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公开(公告)号：CN115019868A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210205043.8
申请日：2022-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/02
Abstract: 公开了一种电压微调电路、存储器装置和存储器装置的测试方法。该电压微调电路包括：第一电阻电路，其具有由上升码和下降码确定的第一电阻值；第二电阻电路，其具有由上升码和下降码确定的第二电阻值；以及比较器，其被配置为通过将参考电压微调节点的电压电平与反馈节点的电压电平进行比较来输出电压检测信号，其中，当参考电压微调节点的电压电平高于反馈节点的电压电平时，电压检测信号调整上升码和下降码，以增大第一电阻值并且减小第二电阻值，并且当参考电压微调节点的电压电平低于或等于反馈节点的电压电平时，电压检测信号调整上升码和下降码，以减小第一电阻值并且增大第二电阻值。
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公开(公告)号：CN113140239A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110022232.7
申请日：2021-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑尚勋
Abstract: 提供了电压生成器电路、存储器设备及操作其的方法。在该存储器设备中，电压生成器电路在存储器设备处于活动模式时生成第一内部电源电压，在存储器设备处于待机模式时生成第二内部电源电压，并且将第一内部电源电压或第二内部电源电压提供给内部电源电压线以用作存储器设备的内部电源电压。当存储器设备处于待机模式时，电压生成器电路通过使用高于外部电源电压的第一电压来阻止第一内部电源电压的生成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112289354A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010704346.5
申请日：2020-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 提供了磁性结存储器设备和用于将数据写入存储器设备的方法。磁性结存储器设备包括：第一存储器组，包括第一磁性结存储器单元；第一本地写入驱动器，与第一存储器组相邻，连接到全局数据线，第一本地写入驱动器被配置为经由本地数据线将数据写入第一磁性结存储器单元；第二存储器组，与第一存储器组相邻并且包括第二磁性结存储器单元；第二本地写入驱动器，与第二存储器组相邻，连接到全局数据线，第二本地写入驱动器被配置为经由本地数据线将数据写入第二磁性结存储器单元；以及全局写入驱动器，被配置为经由全局数据线分别向第一本地写入驱动器和第二本地写入驱动器提供第一写入数据和第二写入数据。
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公开(公告)号：CN120020956A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202411085019.0
申请日：2024-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408
Abstract: 公开了一种存储器装置。所述存储器装置包括连接到多个存储器块中的每个的多条字线的行解码器。行解码器包括：主字线驱动器电路，公共连接到所述多个存储器块，并且被配置为基于行地址信号生成第一主字线驱动信号、第二主字线驱动信号和子字线驱动信号；以及子字线驱动器电路，连接到所述多个存储器块中的每个，并且被配置为使用NOR逻辑电路激活来自所述多条字线之中的一条字线，第一主字线驱动信号、第二主字线驱动信号和子字线驱动信号连接到NOR逻辑电路。
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公开(公告)号：CN115497534A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210690938.5
申请日：2022-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/401
Abstract: 提供了一种存储器件。该存储器件包括：堆叠的多个存储芯片，其中，存储芯片中的每一个包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个存储单元行；芯片标识符生成器，被配置为生成指示存储芯片中的每一个的芯片标识符的芯片标识符信号；刷新计数器，被配置为响应于刷新命令生成用于刷新存储单元行的目标行地址；以及目标行地址生成器，接收芯片标识符信号和目标行地址，并且基于芯片标识符信号输出目标行地址和将目标行地址反相而获得的反相目标行地址之一作为刷新行地址，并对与刷新行地址相对应的存储单元行执行刷新操作。
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公开(公告)号：CN111833954A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010263534.9
申请日：2020-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑尚勋
Abstract: 本申请提供一种存储设备。所述存储设备包括：包括多个单元的单元阵列；地址转变检测器，其输出关于写入命令的地址是否改变的转变检测信号；以及控制逻辑电路，其响应于所述写入命令生成多个字线接通信号中的一个字线接通信号用于对所述单元阵列执行写入操作，并根据所述转变检测信号终止所述写入操作。所述字线接通信号包括：在所述地址改变之前保持激活的长时间保持的字线接通信号、以及在所述地址改变之前被分割成多个子字线接通信号的分割字线接通信号。
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公开(公告)号：CN109726141A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811173829.6
申请日：2018-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
Abstract: 提供了一种用于防止对故障地址重复编程的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：第一故障地址寄存器，存储故障地址；输入地址寄存器，存储输入地址；数据比较电路，将要存储在与输入地址对应的存储单元中的写入数据与从存储单元读取的读取数据进行比较；地址比较电路，将故障地址与输入地址进行比较；以及第二故障地址寄存器，基于写入数据与读取数据的第一比较结果以及故障地址与输入地址的第二比较结果并行地存储故障地址的位。
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