公开(公告)号：CN118050960A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311374488.X

申请日：2023-10-23

Applicant: 细美事有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 姜亨奭 ,  元俊皓 ,  许弼覠 ,  赵弘灿 ,  金日宁 ,  朴相真 ,  辛承敃 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供了一种基板处理装置，其包括：腔室，被配置成提供用于处理基板的空间；基板支承部，被配置成在腔室中支承基板；上部供应端口，设置在腔室的上部分中，并且被配置成向基板的上表面上供应超临界流体；凹部，设置在腔室的上壁中并且具有扩散器形状，扩散器形状的直径从上部供应端口的出口逐渐增大；以及流体挡板，在凹部中设置在上部供应端口与基板之间，并且包括以相同的相位和几何尺寸重复地布置在空间中并且彼此流体连通的单元格。

公开(公告)号：CN110890263A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910515871.X

申请日：2019-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛承敃 ,  金石训 ,  金伶厚 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  朴晟见 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种干法清洗设备包括：腔室；基板支撑件，支撑腔室内的基板；喷头，布置在腔室的上部，以朝向基板供应干法清洗气体，喷头包括朝向基板支撑件的方向透射激光的光学窗口；等离子体发生器，被配置为从干法清洗气体产生等离子体；以及激光照射器，穿过光学窗口和等离子体在基板上照射激光，从而加热基板。

公开(公告)号：CN111834249B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202010169351.0

申请日：2020-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宪宰 ,  辛承敃 ,  金石训 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  李根泽 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种晶片清洗设备包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块输出激光束，所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域，所述激光束被输出到所述中空区域中；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部，并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

公开(公告)号：CN111524827A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201911364983.6

申请日：2019-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车知勳 ,  李轸雨 ,  金石训 ,  金仁基 ,  辛承敃 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 提供了一种半导体器件制造设备。所述半导体器件制造设备包括：旋转器，被构造为保持晶圆；喷嘴，被构造为将液体化学品供应到晶圆的上表面上；以及激光模块，被构造为在喷嘴将液体化学品供应到晶圆的上表面上的同时通过将激光束辐射到晶圆的下表面来加热晶圆。

公开(公告)号：CN118382289A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202311261443.1

申请日：2023-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛承敃 ,  朴相俊 ,  安星柱 ,  朴基钟 ,  尹一永

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/26

Abstract: 根据实施例的半导体存储器件包括：衬底；位线，位于衬底上并且沿第一方向延伸；沟道容纳绝缘层，位于衬底上，并且限定暴露位线并沿与第一方向交叉的第二方向延伸的沟道沟槽；沟道层，沿沟道沟槽的底表面和侧表面延伸并且接触位线；字线，位于沟道沟槽中并且沿第二方向延伸；栅绝缘层，位于沟道层与字线之间；以及电容器结构，位于沟道层上并且电连接到沟道层，其中沟道层具有氧化物半导体层和第一石墨烯层的双层结构。

公开(公告)号：CN116266036A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211545329.7

申请日：2022-12-01

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 辛承敃 ,  朴相真 ,  崔海圆 ,  李章晋 ,  朴智焕 ,  李根泽 ,  克里科里安·安东 ,  元俊皓 ,  成进荣 ,  许弼覠

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了一种用于处理衬底的装置和方法。该装置包括：至少一个第一工艺室，被配置为将显影剂供应到衬底上；至少一个第二工艺室，被配置为使用超临界流体处理衬底；传送室，被配置为将衬底从至少一个第一工艺室传送到至少一个第二工艺室，同时在至少一个第一工艺室中供应的显影剂残留在衬底上；以及温湿度控制系统，被配置为通过将恒温恒湿的第一气体供应到传送室中来管理传送室的温度和湿度。

公开(公告)号：CN110875225A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910831544.5

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李轸雨 ,  崔溶俊 ,  金石训 ,  辛承敃 ,  车知勋

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种湿法蚀刻设备包括工艺槽，其具有被配置为接纳蚀刻剂的内部空间并具有支撑单元，晶圆被设置在该支撑单元上以与蚀刻剂接触。激光单元被设置在工艺槽上方并被配置为将激光束指向晶圆并由此对晶圆进行加热。蚀刻剂供应单元被配置为将蚀刻剂供应到工艺槽的内部空间。

公开(公告)号：CN110875225B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN201910831544.5

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李轸雨 ,  崔溶俊 ,  金石训 ,  辛承敃 ,  车知勋

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种湿法蚀刻设备包括工艺槽，其具有被配置为接纳蚀刻剂的内部空间并具有支撑单元，晶圆被设置在该支撑单元上以与蚀刻剂接触。激光单元被设置在工艺槽上方并被配置为将激光束指向晶圆并由此对晶圆进行加热。蚀刻剂供应单元被配置为将蚀刻剂供应到工艺槽的内部空间。

公开(公告)号：CN117438333A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310575448.5

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛承敃 ,  金浚永 ,  朴基钟 ,  宋善重 ,  蔡升澈

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种原子层蚀刻(ALE)方法和原子层蚀刻设备。该方法包括：将具有彼此面对的第一表面和第二表面的衬底装载到卡盘上的操作(a)，通过冷却液将衬底冷却到第一温度的操作(b)，通过从位于卡盘上方的喷淋头向衬底喷射第一源气体，通过第一源气体和衬底的第一表面之间发生的反应来在衬底上形成改性层的操作(c)，通过激光束将衬底加热到第二温度的操作(d)，以及通过从喷淋头向衬底的第一表面喷射第二源气体，通过第二源气体和衬底的改性层之间发生的反应来去除衬底的改性层。

公开(公告)号：CN116027643A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211167154.0

申请日：2022-09-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 崔海圆 ,  辛承敃 ,  朴相真 ,  辛在原 ,  朴智焕 ,  李根泽 ,  科里亚金·安东 ,  元俊皓 ,  许弼覠

IPC: G03F7/40

Abstract: 提供了衬底处理设备和衬底处理方法，其中通过多级压力控制来控制注入到超临界干燥容器中的CO2的流速。所述衬底处理方法包括：将涂覆有化学液体的衬底设置在处理室中，所述处理室包括在其中处理所述衬底的空间；通过使用超临界流体来干燥所述衬底；以及在所述衬底被干燥后，将所述衬底从所述处理室中取出。