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发明公开
用于蚀刻硅和硅锗的蚀刻剂组合物和使用其的图案的制备方法审中-公开

公开(公告)号：CN118421318A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410023611.1

申请日：2024-01-08

Applicant: 三星电子株式会社 , 东友精细化工有限公司

Inventor： 禹熙锡 , 安奎相 , 吴政玟 , 金志原 , 鲁珍圭 , 尹嚆重 , 裵相元 , 成敬模

IPC: C09K13/08 , H01L21/306 , C09K13/00

Abstract: 本公开内容涉及用于蚀刻硅和硅锗的蚀刻剂组合物、和/或使用所述蚀刻剂组合物的图案的制备方法。所述蚀刻剂组合物可包括氧化剂、基于氟的化合物、由化学式1或2表示的表面活性剂和水。所述蚀刻剂组合物可以5重量％‑40重量％的量包括所述表面活性剂，基于100重量％的所述蚀刻剂组合物。

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