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公开(公告)号：CN119730428A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410708794.0
申请日：2024-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10F39/18 , H04N25/77 , H04N25/771
Abstract: 一种图像传感器包括：像素，所述像素各自包括在第一方向上并排布置的两个光电二极管；深沟槽隔离结构；浮置扩散区；以及传输栅极。所述深沟槽隔离结构包括：内部结构，所述内部结构在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸并且在所述第一方向上将每个像素的所述两个PD彼此分离；以及外部结构，所述外部结构在所述第一方向和第二方向上延伸并且在所述第一方向和第二方向上将所述像素彼此分离。所述浮置扩散区布置在沿所述第一方向延伸的所述外部结构的中心部分和所述内部结构的边缘之间。所述传输栅极设置为与所述浮置扩散区相邻，使得一个或更多个传输栅极设置在每个光电二极管上。对于每个像素，所述两个光电二极管共享所述浮置扩散区。
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公开(公告)号：CN115241216A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210343113.6
申请日：2022-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有与第二表面相对的第一表面；像素隔离图案，在基底中限定彼此相邻的第一单位像素和第二单位像素；以及第一分离图案和第二分离图案，在基底中。第一单位像素包括沿着第一方向的第一光电转换部和第二光电转换部。第二单位像素包括沿着与第一方向相交的第二方向的第三光电转换部和第四光电转换部。第一分离图案在第一光电转换部与第二光电转换部之间在第二方向上延伸。第二分离图案在第三光电转换部与第四光电转换部之间在第一方向上延伸。像素隔离图案的宽度、第一分离图案的宽度和第二分离图案的宽度均从基底的第二表面朝向基底的第一表面减小。
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公开(公告)号：CN114639692A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111530784.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：衬底，其具有第一表面和第二表面；像素区域，其在平行于第一表面的方向上布置；第一光电二极管和第二光电二极管，它们在像素区域中的每一个中彼此隔离；第一装置隔离膜，其位于像素区域之间；成对的第二装置隔离膜，其位于第一光电二极管与第二光电二极管之间，并且从第一装置隔离膜延伸；掺杂层，其与成对的第二装置隔离膜相邻，并且从第二表面延伸到预定深度，并且与第一表面间隔开，掺杂层与第一装置隔离膜隔离；以及势垒区域，其位于成对的第二装置隔离膜之间，并且具有大于衬底的与势垒区域相邻的部分的电势的电势。
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公开(公告)号：CN114566512A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111411689.3
申请日：2021-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：(1)具有在第一方向上彼此相对的第一和第二表面以及多个单位像素的基板，(2)设置在基板中的、多个单位像素中的每一个中并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此隔离的第一光电二极管和第二光电二极管，(3)设置在多个单位像素之间的第一器件隔离膜，以及(4)设置在多个单位像素中的至少一个中的像素内部隔离膜。第二器件隔离膜在第一方向上与第一光电二极管和第二光电二极管中的至少一个重叠。一对第三器件隔离膜：(a)在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上从第一器件隔离膜延伸到单位像素中，并且(b)彼此相对。
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公开(公告)号：CN114079736A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110912216.5
申请日：2021-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器，该图像传感器包括像素阵列和逻辑电路。像素阵列包括在多个像素中的相邻像素之间的像素隔离层。所述多个像素中的每个包括在至少一个光电二极管下方的像素电路。逻辑电路从所述多个像素获取像素信号。像素阵列包括至少一个自动聚焦像素，其包括第一光电二极管、第二光电二极管、在第一光电二极管和第二光电二极管之间的像素内部隔离层、以及在第一光电二极管和第二光电二极管上的微透镜。像素内部隔离层包括在垂直于基板的上表面的第一方向上彼此分隔的第一像素内部隔离层和第二像素内部隔离层，第一像素内部隔离层和第二像素内部隔离层包括不同的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112702544A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011138684.3
申请日：2020-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据示例实施例的图像传感器包括：多个图像像素组；多个自动聚焦像素组；第一传输控制信号线，其连接到所述多个图像像素组中的每一个的第一像素；第二传输控制信号线，其连接到所述多个图像像素组中的每一个的第二像素；第三传输控制信号线，其连接到所述多个自动聚焦像素组中的每一个的第一像素；以及第四传输控制信号线，其连接到少数多个自动聚焦像素组中的每一个的第二像素，其中，所述第四传输控制信号线与所述第一传输控制信号线至所述第三传输控制信号线电隔离，并且其中，所述多个图像像素组和所述多个自动聚焦像素组中的每一个设置在单个微透镜下方。
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公开(公告)号：CN112310130A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010557071.7
申请日：2020-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：光电二极管，响应于光来生成电荷；转移晶体管，连接光电二极管和浮置扩散体；复位晶体管，连接在浮置扩散体和电力节点之间；增压电容器，连接到浮置扩散体，并响应于增压控制信号来调整浮置扩散体的容量；以及偏置电路，具有第一电流电路和第二电流电路，用于向输出节点供应不同的偏置电流，其中向所述输出节点输出与浮置扩散体中累积的电荷相对应的电压信号。在转移晶体管断开之后，增压控制信号从高电平下降到低电平，并且当将第一电流电路和第二电流电路的偏置电流同时提供给输出节点时，复位晶体管从导通状态切换到断开状态。
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公开(公告)号：CN119907322A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411003468.6
申请日：2024-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种图像传感器。该图像传感器包括：基板，包括多个像素，所述多个像素的每个包括左子像素和右子像素；在所述多个像素的每个上在基板中的阱区，阱区将左子像素和右子像素彼此连接；像素分离部，将所述多个像素彼此分离并在左子像素和右子像素之间在基板中延伸；在左子像素上的左传输晶体管和第一逻辑晶体管；在右子像素上的右传输晶体管和第二逻辑晶体管；以及接地区，在左子像素和右子像素中的一个上在基板中，并且与阱区接触。接地区与所述多个像素的每个的角相邻。
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公开(公告)号：CN118693114A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410191371.6
申请日：2024-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。所述图像传感器包括：第一堆叠件，包括第一半导体基底、光电转换区域和浮置扩散区域，第一半导体基底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，光电转换区域位于第一半导体基底中，浮置扩散区域位于第一半导体基底中，浮置扩散区域被配置为存储从光电转换区域传输的电荷；第二堆叠件，包括第二半导体基底和传输栅极，第二半导体基底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，传输栅极穿透第二半导体基底并延伸到第一堆叠件中；以及绝缘层，位于第一堆叠件与第二堆叠件之间。
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公开(公告)号：CN118507498A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410176741.9
申请日：2024-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70 , H04N25/79
Abstract: 提供图像传感器及其制造方法。所述方法包括：在半导体基板中形成像素隔离沟槽以从所述半导体基板的第一表面延伸至所述半导体基板的内部；在所述像素隔离沟槽的内壁上形成牺牲层；通过等离子体掺杂工艺将p型杂质从所述牺牲层的表面注入到所述牺牲层和所述半导体基板中，在所述牺牲层的表面处的所述p型杂质的第一浓度大于在所述像素隔离沟槽的侧壁处的所述p型杂质的第二浓度；除去所述牺牲层；和通过在所述像素隔离沟槽的内壁上顺序地形成绝缘衬层和导电层而形成像素隔离结构。
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