公开(公告)号：CN114628418A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111219595.6

申请日：2021-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 筱原武一

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。该图像传感器包括：像素分离结构，设置在半导体基底中，并且限定多个像素区域；第一光电转换区域和第二光电转换区域，设置在半导体基底中，并且设置在多个像素区域中的每个中；以及多个微透镜，设置在半导体基底上，并且与多个像素区域对应。半导体基底包括朝向多个微透镜凸起的多个弯曲表面，并且半导体基底在多个像素区域中的每个中的第一光电转换区域和第二光电转换区域之间具有最小厚度，并且在多个像素区域之间的边界处具有最大厚度。

公开(公告)号：CN118507498A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410176741.9

申请日：2024-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 筱原武一 ,  韩喜铎 ,  藤田雅人

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/70 ,  H04N25/79

Abstract: 提供图像传感器及其制造方法。所述方法包括：在半导体基板中形成像素隔离沟槽以从所述半导体基板的第一表面延伸至所述半导体基板的内部；在所述像素隔离沟槽的内壁上形成牺牲层；通过等离子体掺杂工艺将p型杂质从所述牺牲层的表面注入到所述牺牲层和所述半导体基板中，在所述牺牲层的表面处的所述p型杂质的第一浓度大于在所述像素隔离沟槽的侧壁处的所述p型杂质的第二浓度；除去所述牺牲层；和通过在所述像素隔离沟槽的内壁上顺序地形成绝缘衬层和导电层而形成像素隔离结构。