公开(公告)号：CN114388544A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111176548.8

申请日：2021-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李卿德 ,  薛斗植 ,  李景镐 ,  郑泰燮 ,  藤田雅人

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括光入射在其上的第一侧以及与第一侧相对的第二侧；像素隔离图案，形成在基底内部，并且限定多个单元像素；第一光电转换区域和第二光电转换区域，沿着第一方向布置在所述多个单元像素中的每个单元像素内部；以及区域隔离图案，从像素隔离图案在与第一方向交叉的第二方向上突出，并且在第一光电转换区域与第二光电转换区域之间限定隔离区域。隔离区域在第一侧上沿第二方向的第一宽度大于隔离区域在第二侧上沿第二方向的第二宽度的1.1倍。

公开(公告)号：CN114388543A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111170310.4

申请日：2021-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑泰燮 ,  李景镐 ,  藤田雅人 ,  薛斗植 ,  李卿德

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。该图像传感器包括位于半导体衬底内的第一像素区和第二像素区、围绕第一像素区和第二像素区的第一隔离层、位于第一像素区和第二像素区之间的第二隔离层、以及布置在第一像素区和第二像素区上的微透镜。第一像素区和第二像素区中的每个包括光电转换器件。第二隔离层包括至少一个第一开口区，该至少一个第一开口区暴露位于第一像素区和第二像素区之间的区域的一部分。

公开(公告)号：CN107039475B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201611152793.4

申请日：2016-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  李卿德 ,  郑珉旭

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括包含彼此对立的第一表面和第二表面的半导体层。多个单元像素在半导体层中。单元像素中的每个包括第一光电转换器和第二光电转换器。像素隔离层使相邻的单元像素彼此隔离。第一器件隔离层在第一光电转换器和第二光电转换器之间。像素隔离层具有与第一器件隔离层不同的形状。

公开(公告)号：CN107039475A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611152793.4

申请日：2016-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  李卿德 ,  郑珉旭

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括包含彼此对立的第一表面和第二表面的半导体层。多个单元像素在半导体层中。单元像素中的每个包括第一光电转换器和第二光电转换器。像素隔离层使相邻的单元像素彼此隔离。第一器件隔离层在第一光电转换器和第二光电转换器之间。像素隔离层具有与第一器件隔离层不同的形状。

公开(公告)号：CN119730428A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410708794.0

申请日：2024-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李卿德 ,  郑泰燮 ,  藤田雅人 ,  罗允何 ,  白承起 ,  薛斗植 ,  安成珉 ,  郑胜基

IPC: H10F39/18 ,  H04N25/77 ,  H04N25/771

Abstract: 一种图像传感器包括：像素，所述像素各自包括在第一方向上并排布置的两个光电二极管；深沟槽隔离结构；浮置扩散区；以及传输栅极。所述深沟槽隔离结构包括：内部结构，所述内部结构在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸并且在所述第一方向上将每个像素的所述两个PD彼此分离；以及外部结构，所述外部结构在所述第一方向和第二方向上延伸并且在所述第一方向和第二方向上将所述像素彼此分离。所述浮置扩散区布置在沿所述第一方向延伸的所述外部结构的中心部分和所述内部结构的边缘之间。所述传输栅极设置为与所述浮置扩散区相邻，使得一个或更多个传输栅极设置在每个光电二极管上。对于每个像素，所述两个光电二极管共享所述浮置扩散区。

公开(公告)号：CN115241216A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210343113.6

申请日：2022-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑闵至 ,  薛斗植 ,  安成珉 ,  李卿德 ,  李景镐 ,  郑胜基 ,  郑有珍 ,  郑泰燮 ,  赵鼎镇 ,  藤田雅人

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有与第二表面相对的第一表面；像素隔离图案，在基底中限定彼此相邻的第一单位像素和第二单位像素；以及第一分离图案和第二分离图案，在基底中。第一单位像素包括沿着第一方向的第一光电转换部和第二光电转换部。第二单位像素包括沿着与第一方向相交的第二方向的第三光电转换部和第四光电转换部。第一分离图案在第一光电转换部与第二光电转换部之间在第二方向上延伸。第二分离图案在第三光电转换部与第四光电转换部之间在第一方向上延伸。像素隔离图案的宽度、第一分离图案的宽度和第二分离图案的宽度均从基底的第二表面朝向基底的第一表面减小。

公开(公告)号：CN114639692A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111530784.5

申请日：2021-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金显喆 ,  李景镐 ,  笕和宪 ,  薛斗植 ,  李卿德 ,  郑泰燮 ,  藤田雅人

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：衬底，其具有第一表面和第二表面；像素区域，其在平行于第一表面的方向上布置；第一光电二极管和第二光电二极管，它们在像素区域中的每一个中彼此隔离；第一装置隔离膜，其位于像素区域之间；成对的第二装置隔离膜，其位于第一光电二极管与第二光电二极管之间，并且从第一装置隔离膜延伸；掺杂层，其与成对的第二装置隔离膜相邻，并且从第二表面延伸到预定深度，并且与第一表面间隔开，掺杂层与第一装置隔离膜隔离；以及势垒区域，其位于成对的第二装置隔离膜之间，并且具有大于衬底的与势垒区域相邻的部分的电势的电势。

公开(公告)号：CN114566512A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111411689.3

申请日：2021-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李卿德 ,  白承起 ,  李景镐 ,  金显喆 ,  薛斗植 ,  郑泰燮 ,  藤田雅人

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括：(1)具有在第一方向上彼此相对的第一和第二表面以及多个单位像素的基板，(2)设置在基板中的、多个单位像素中的每一个中并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此隔离的第一光电二极管和第二光电二极管，(3)设置在多个单位像素之间的第一器件隔离膜，以及(4)设置在多个单位像素中的至少一个中的像素内部隔离膜。第二器件隔离膜在第一方向上与第一光电二极管和第二光电二极管中的至少一个重叠。一对第三器件隔离膜：(a)在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上从第一器件隔离膜延伸到单位像素中，并且(b)彼此相对。

公开(公告)号：CN114079736A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110912216.5

申请日：2021-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 藤田雅人 ,  薛斗植 ,  李卿德 ,  李景镐 ,  郑泰燮

IPC: H04N5/369 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种图像传感器，该图像传感器包括像素阵列和逻辑电路。像素阵列包括在多个像素中的相邻像素之间的像素隔离层。所述多个像素中的每个包括在至少一个光电二极管下方的像素电路。逻辑电路从所述多个像素获取像素信号。像素阵列包括至少一个自动聚焦像素，其包括第一光电二极管、第二光电二极管、在第一光电二极管和第二光电二极管之间的像素内部隔离层、以及在第一光电二极管和第二光电二极管上的微透镜。像素内部隔离层包括在垂直于基板的上表面的第一方向上彼此分隔的第一像素内部隔离层和第二像素内部隔离层，第一像素内部隔离层和第二像素内部隔离层包括不同的材料。