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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117878130A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311288019.6
申请日：2023-10-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/60
Abstract: 公开了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底；至少一个传输门，在基底的顶表面上；浮动扩散区域，位于基底中并且在第一方向上与所述至少一个传输门分开设置，第一方向平行于基底的顶表面；本征半导体区域，位于基底中并且在第一方向上设置在所述至少一个传输门与浮动扩散区域之间；以及光电转换区域，位于基底中并且在第二方向上与浮动扩散区域分开设置，其中，第二方向垂直于第一方向，其中，本征半导体区域是未掺杂区域。
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公开(公告)号：CN115589544A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210638565.7
申请日：2022-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种图像感测装置。所述图像感测装置包括：光电元件，被配置为响应于光生成电荷；第一浮置扩散部和第二浮置扩散部，被配置为存储电荷；传输门，具有被连接到光电元件的第一端和连接到第一浮置扩散部的第二端；复位晶体管，被配置为基于复位信号复位第一浮置扩散部和第二浮置扩散部的电压；第一双转换增益晶体管，具有连接到第一浮置扩散部的第一端和连接到第二浮置扩散部的第二端；第一像素电路和第二像素电路，被配置为基于第一浮置扩散部和第二浮置扩散部生成第一输出电压和第二输出电压；第一模数转换器和第二模数转换器，被配置为接收第一输出电压和第二输出电压并将第一输出电压和第二输出电压转换为第一数字信号和第二数字信号。
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公开(公告)号：CN118352369A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410039961.7
申请日：2024-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：共享像素，包括具有1×2结构的两个子像素，并且通过金属布线共享位于所述两个子像素中的每一者上的浮置扩散区域；单位像素，在所述共享像素内围绕所述浮置扩散区域，通过正面深沟槽隔离彼此分开，并且各自包括光电二极管；转移晶体管，与所述浮置扩散区域邻近并且位于每个所述单位像素上；复位晶体管和选择晶体管，位于所述单位像素当中的位于第一象限中的第一单位像素上；转换增益晶体管，位于所述单位像素当中的位于第二象限中的第二单位像素上；以及源极跟随器晶体管，位于所述单位像素当中的位于第三象限中的第三单位像素和位于第四象限中的第四单位像素上。
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公开(公告)号：CN114639692A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111530784.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：衬底，其具有第一表面和第二表面；像素区域，其在平行于第一表面的方向上布置；第一光电二极管和第二光电二极管，它们在像素区域中的每一个中彼此隔离；第一装置隔离膜，其位于像素区域之间；成对的第二装置隔离膜，其位于第一光电二极管与第二光电二极管之间，并且从第一装置隔离膜延伸；掺杂层，其与成对的第二装置隔离膜相邻，并且从第二表面延伸到预定深度，并且与第一表面间隔开，掺杂层与第一装置隔离膜隔离；以及势垒区域，其位于成对的第二装置隔离膜之间，并且具有大于衬底的与势垒区域相邻的部分的电势的电势。
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公开(公告)号：CN114566512A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111411689.3
申请日：2021-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：(1)具有在第一方向上彼此相对的第一和第二表面以及多个单位像素的基板，(2)设置在基板中的、多个单位像素中的每一个中并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此隔离的第一光电二极管和第二光电二极管，(3)设置在多个单位像素之间的第一器件隔离膜，以及(4)设置在多个单位像素中的至少一个中的像素内部隔离膜。第二器件隔离膜在第一方向上与第一光电二极管和第二光电二极管中的至少一个重叠。一对第三器件隔离膜：(a)在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上从第一器件隔离膜延伸到单位像素中，并且(b)彼此相对。
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