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公开(公告)号：CN118507498A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410176741.9
申请日：2024-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70 , H04N25/79
Abstract: 提供图像传感器及其制造方法。所述方法包括：在半导体基板中形成像素隔离沟槽以从所述半导体基板的第一表面延伸至所述半导体基板的内部；在所述像素隔离沟槽的内壁上形成牺牲层；通过等离子体掺杂工艺将p型杂质从所述牺牲层的表面注入到所述牺牲层和所述半导体基板中，在所述牺牲层的表面处的所述p型杂质的第一浓度大于在所述像素隔离沟槽的侧壁处的所述p型杂质的第二浓度；除去所述牺牲层；和通过在所述像素隔离沟槽的内壁上顺序地形成绝缘衬层和导电层而形成像素隔离结构。
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