公开(公告)号：CN117998840A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202310820255.1

申请日：2023-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶植 ,  罗载元 ,  宋俊和 ,  朴桐湜

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00

Abstract: 公开了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括在基底上在第一方向上延伸的多条位线、分别在所述多条位线上的多个有源柱、沿所述多个有源柱在第二方向上延伸的字线、分别在所述多个有源柱上的多个着陆垫以及分别在所述多个着陆垫上的多个数据存储图案。所述多个有源柱中的每个可以具有在垂直于所述基底的上表面的方向上延伸的长度。当在平面图中观看时，所述字线具有波浪形状。

公开(公告)号：CN114334979A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111150523.0

申请日：2021-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真雅 ,  柳镐仁 ,  罗载元

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，其具有沟槽；沟槽中的导电图案；间隔件结构，其位于导电图案的侧表面上；以及埋置接触件，其包括与导电图案通过间隔件结构间隔开并且填充接触凹部的第一部分以及第一部分上的第二部分，第二部分具有柱形，柱形的宽度小于第一部分的顶表面的宽度。间隔件结构包括：第一间隔件，其在埋置接触件的第一部分上沿着埋置接触件的第二部分延伸，并且接触埋置接触件；第二间隔件，其沿着第一间隔件延伸；以及第三间隔件，其沿着导电图案的侧表面和沟槽延伸，并且与第一间隔件通过第二间隔件间隔开，第一间隔件包括氧化硅，并且第二间隔件包括氮化硅。

公开(公告)号：CN119255597A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202410172962.9

申请日：2024-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴桐湜 ,  罗载元 ,  全智姬

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00 ,  H01L23/552

Abstract: 半导体装置包括：基底，包括单元阵列区域和外围区域；位线，位于单元阵列区域上，并且沿第一方向延伸；屏蔽线，沿第一方向从单元阵列区域延伸到外围区域，并且沿与第一方向交叉的第二方向与位线邻近地布置；屏蔽接触线，位于外围区域上，沿第二方向延伸，并且连接到屏蔽线；沟道图案，位于位线上，并且沿与位线垂直的方向延伸；字线，沿第二方向延伸，并且位于沟道图案上；栅极绝缘图案，位于沟道图案与字线之间；绝缘图案，位于字线上；接合垫，连接到沟道图案；以及数据存储图案，连接到接合垫。

公开(公告)号：CN117641889A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310910429.3

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋俊和 ,  金昶植 ,  罗载元 ,  崔德欢

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置包括：上导电线，其位于衬底上；沟道结构，其与上导电线相邻；栅极电介质膜，其位于沟道结构和上导电线之间；以及导电接触图案，其电连接至沟道结构。沟道结构包括主沟道部分和沟道接触部分，主沟道部分包括具有第一成分的氧化物半导体层，沟道接触部分位于主沟道部分和导电接触图案之间。沟道接触部分与导电接触图案接触，并且包括具有不同于第一成分的第二成分的材料。

公开(公告)号：CN117794241A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311278284.6

申请日：2023-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗载元 ,  金昶植 ,  宋俊和 ,  全智姬

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底；在衬底上并在第一方向上延伸的位线；在位线上的第一和第二沟道图案，第二沟道图案在第一方向上与第一沟道图案间隔开；第一字线，在第一沟道图案和第二沟道图案之间，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第二字线，在第一沟道图案和第二沟道图案之间，在第二方向上延伸，并且在第一方向上与第一字线间隔开；在沟道图案上并且连接到第一或第二沟道图案的电容器；其中第一沟道图案和第二沟道图案包括依次在位线上的第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案，第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案中的每个包括非晶金属氧化物，并且第一金属氧化物图案的组成不同于第二金属氧化物图案的组成。

公开(公告)号：CN116419565A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310024066.3

申请日：2023-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗载元 ,  李盛三 ,  林兑旭 ,  姜秉河 ,  金刚泫

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底，包括第一有源区域和第二有源区域；位线结构，在基底上沿一个方向延伸，位线结构电连接到第一有源区域；存储节点接触件，在位线结构的侧壁上，存储节点接触件电连接到第二有源区域；间隔件结构，在位线结构和存储节点接触件之间；接合垫，在存储节点接触件上，接合垫与间隔件结构的侧壁接触；以及电容器结构，电连接到接合垫，其中，间隔件结构包括顺序地堆叠在位线结构的侧壁上的第一间隔件、第二间隔件、第三间隔件和第四间隔件，第二间隔件是空气间隔件，并且第三间隔件的厚度小于第一间隔件的厚度。