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公开(公告)号:CN116419565A
公开(公告)日:2023-07-11
申请号:CN202310024066.3
申请日:2023-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括:基底,包括第一有源区域和第二有源区域;位线结构,在基底上沿一个方向延伸,位线结构电连接到第一有源区域;存储节点接触件,在位线结构的侧壁上,存储节点接触件电连接到第二有源区域;间隔件结构,在位线结构和存储节点接触件之间;接合垫,在存储节点接触件上,接合垫与间隔件结构的侧壁接触;以及电容器结构,电连接到接合垫,其中,间隔件结构包括顺序地堆叠在位线结构的侧壁上的第一间隔件、第二间隔件、第三间隔件和第四间隔件,第二间隔件是空气间隔件,并且第三间隔件的厚度小于第一间隔件的厚度。