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公开(公告)号：CN110783336A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910670044.8
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件。该器件包括在衬底上沿第一方向延伸的有源图案，围绕有源图案的侧壁的一部分的场绝缘膜，在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第一栅结构，与第一栅结构间隔开并在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第二栅结构，以及第一栅结构与第一栅结构之间的第一器件隔离膜，其中第一栅结构的面向第一器件隔离膜的侧壁包括相对于有源图案的上表面具有锐角的倾斜表面，并且第一器件隔离膜的最下表面低于场绝缘膜的最上表面或与场绝缘膜的最上表面基本上共面。
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公开(公告)号：CN110970486B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201910752340.2
申请日：2019-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：有源鳍，每个所述有源鳍在衬底上沿第一方向延伸，所述有源鳍在不同于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；导电结构，所述导电结构在所述衬底上沿所述第二方向延伸，并且与所述有源鳍接触；第一扩散中断图案，所述第一扩散中断图案在所述衬底与所述导电结构之间，并且将所述有源鳍的第一有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分；以及第二扩散中断图案，所述第二扩散中断图案与所述衬底上的所述导电结构相邻，所述第二扩散中断图案的上表面高于所述导电结构的下表面，并且所述第二扩散中断图案将所述有源鳍的第二有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分。
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公开(公告)号：CN110970433B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201910891256.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件包括：衬底，其包括有源图案；栅电极，其在第一方向上延伸并且与在第二方向上延伸的有源图案相交；分离结构，其与有源图案相交并且在第一方向上延伸；第一栅极介电图案，其设置在栅电极的侧表面上；第二栅极介电图案，其设置在分离结构的侧表面上；和栅极封盖图案，其覆盖栅电极的顶表面。分离结构的顶表面的水平高度高于栅极封盖图案的顶表面的水平高度。
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公开(公告)号：CN116666384A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310161418.X
申请日：2023-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置可包括：第一沟道图案和第二沟道图案，它们分别设置在第一有源图案和第二有源图案上，并分别包括第一半导体图案和第二半导体图案；以及栅电极，其与第一沟道图案和第二沟道图案交叉并在第一方向上延伸。栅电极可包括第一外栅电极和第二外栅电极，它们分别设置在第一半导体图案和第二半导体图案中的最上面的半导体图案上，并且它们中的每一个包括按次序堆叠的第一金属图案、比第一金属图案薄的第二金属图案、以及填充金属图案。还可在第一金属图案和第一半导体图案之间设置第三金属图案。第三金属图案和第二金属图案可分别包括p型功函数金属和n型功函数金属。第二外栅电极的第一金属图案和第二金属图案可具有共面的最顶上的表面。
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公开(公告)号：CN110620137A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910106711.X
申请日：2019-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种鳍式场效应晶体管包括在衬底上沿第一方向延伸的第一鳍和沿第一方向延伸并在第一方向上与第一鳍间隔开的第二鳍。第三鳍提供有比第一鳍和第二鳍的长边短的长边并设置在第一鳍与第二鳍之间。第一栅极结构沿与第一方向不同的第二方向延伸并横跨第一鳍。器件隔离层设置在第一鳍、第二鳍和第三鳍的每个的下侧壁上并形成为沿第一方向延伸。电绝缘的扩散中断区包括横跨在第一鳍与第三鳍之间的第一部分、横跨在第二鳍与第三鳍之间的第二部分和在第三鳍上设置于第一部分与第二部分之间的第三部分。扩散中断区在器件隔离层上沿第二方向延伸。第三部分的下表面的水平高于第一部分和第二部分的每个的下端的水平且低于第一栅极结构的上表面的水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110783336B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN201910670044.8
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件。该器件包括在衬底上沿第一方向延伸的有源图案，围绕有源图案的侧壁的一部分的场绝缘膜，在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第一栅结构，与第一栅结构间隔开并在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第二栅结构，以及第一栅结构与第一栅结构之间的第一器件隔离膜，其中第一栅结构的面向第一器件隔离膜的侧壁包括相对于有源图案的上表面具有锐角的倾斜表面，并且第一器件隔离膜的最下表面低于场绝缘膜的最上表面或与场绝缘膜的最上表面基本上共面。
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公开(公告)号：CN110797339B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201910640800.2
申请日：2019-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/02 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一有源图案，所述第一有源图案沿第一方向纵长地延伸；第二有源图案，所述第二有源图案沿所述第一方向纵长地延伸并沿所述第一方向与所述第一有源图案间隔开。所述器件还包括位于所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的场绝缘膜。所述场绝缘膜的上表面低于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面或与所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面共面。所述器件还包括位于隔离沟槽中的元件隔离结构，所述隔离沟槽位于所述第一有源图案和所述场绝缘膜中。所述元件隔离结构的上表面高于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面。
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公开(公告)号：CN110620137B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910106711.X
申请日：2019-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种鳍式场效应晶体管包括在衬底上沿第一方向延伸的第一鳍和沿第一方向延伸并在第一方向上与第一鳍间隔开的第二鳍。第三鳍提供有比第一鳍和第二鳍的长边短的长边并设置在第一鳍与第二鳍之间。第一栅极结构沿与第一方向不同的第二方向延伸并横跨第一鳍。器件隔离层设置在第一鳍、第二鳍和第三鳍的每个的下侧壁上并形成为沿第一方向延伸。电绝缘的扩散中断区包括横跨在第一鳍与第三鳍之间的第一部分、横跨在第二鳍与第三鳍之间的第二部分和在第三鳍上设置于第一部分与第二部分之间的第三部分。扩散中断区在器件隔离层上沿第二方向延伸。第三部分的下表面的水平高于第一部分和第二部分的每个的下端的水平且低于第一栅极结构的上表面的水平。
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公开(公告)号：CN116072674A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211326451.5
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源区；栅电极，在第二方向上延伸并与有源区交叉，栅电极包括第一电极层和第二电极层；沟道层，在第三方向上彼此间隔开，并且至少部分地被栅电极围绕；源极/漏极区，在栅电极的每一侧有至少一个源极/漏极区，源极/漏极区与沟道层电连接；以及气隙区，沿第三方向在沟道层之间以及最下面的沟道层与有源区之间位于第二电极层中。第一电极层或第二电极层在沟道层的在第三方向上相邻的沟道层之间具有第一厚度，并且在沟道层的侧表面上具有大于第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN110970486A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910752340.2
申请日：2019-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：有源鳍，每个所述有源鳍在衬底上沿第一方向延伸，所述有源鳍在不同于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；导电结构，所述导电结构在所述衬底上沿所述第二方向延伸，并且与所述有源鳍接触；第一扩散中断图案，所述第一扩散中断图案在所述衬底与所述导电结构之间，并且将所述有源鳍的第一有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分；以及第二扩散中断图案，所述第二扩散中断图案与所述衬底上的所述导电结构相邻，所述第二扩散中断图案的上表面高于所述导电结构的下表面，并且所述第二扩散中断图案将所述有源鳍的第二有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分。
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