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公开(公告)号：CN108615540A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201711172257.5
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴茂熙
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C2013/005 , G11C2013/0052 , G11C2013/0054 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C13/0038
Abstract: 提供了一种存储器装置和一种操作该存储器装置的方法。所述存储器装置包括：电阻式存储器单元，连接到第一节点，被配置为包括可变电阻元件和用于控制流过可变电阻元件的电流的存取元件；检测电路，检测存取元件的阈值电压并向感测节点提供检测电流；钳位电路，连接在第一节点与感测节点之间，接收第一读取电压，并使第一节点的电压斜升。在钳位电路使第一节点的电压斜升的同时，当检测电流变为与流过第一节点的位线电流相等时，放电电路对第一节点进行放电。当感测节点的电压电平变为低于参考电压时，感测放大器转变输出电压值。
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公开(公告)号：CN101038789A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710088555.6
申请日：2007-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0078
Abstract: 提供了一种在PRAM设备中执行编程－挂起－读取操作的方法，该方法包括：响应于编程操作请求而对包括N个单位编程块的写入块编程；以及响应于读取操作请求而在对M个单位编程块编程后挂起编程操作，其中M小于N。该方法还包括：执行所请求的读取操作，然后恢复对写入数据块的编程；以及对剩余的N－M个编程块编程。
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公开(公告)号：CN1885432A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610094100.0
申请日：2006-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C7/12 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C2213/72
Abstract: 相变存储器器件具有字线驱动器布局，以允许减小所述器件核心区域的尺寸。一方面，相变存储器器件包括多个共享字线的存储器单元块，和驱动所述字线的多个字线驱动器。每个字线驱动器包括用于预充电字线的预充电器件和用于放电所述字线的放电器件，和其中，所述预充电器件和放电器件被交替地设置在所述多个存储器单元块之间。
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公开(公告)号：CN109841248A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811311090.0
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供了一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个存储单元具有开关元件和数据存储元件，所述数据存储元件连接到所述开关元件并且包含相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器用于从所述多个存储单元获得第一读取电压，将第一写入电流输入到所述多个存储单元，然后从所述多个存储单元获得第二读取电压，其中所述存储控制器将所述多个存储单元中的第一存储单元的所述第一读取电压与所述第一存储单元的所述第二读取电压进行比较，以确定所述第一存储单元的状态。
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公开(公告)号：CN101246734B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710303563.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C5/147 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C16/30 , G11C2013/0054 , G11C2213/72
Abstract: 本发明提供偏压发生器、具有该偏压发生器的半导体存储器件以及产生偏压的方法。该偏压发生器产生偏压以控制用于读出数据的、提供给存储单元的读出电流，其特征在于响应于正在被施加的输入电压输出偏压，以便该偏压相对于该输入电压的斜率在对应于该输入电压的电平而划分开的至少两个部分中是不同的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101246734A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710303563.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C5/147 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C16/30 , G11C2013/0054 , G11C2213/72
Abstract: 本发明提供偏压发生器、具有该偏压发生器的半导体存储器件以及产生偏压的方法。该偏压发生器产生偏压以控制用于读出数据的、提供给存储单元的读出电流，其特征在于响应于正在被施加的输入电压输出偏压，以便该偏压相对于该输入电压的斜率在对应于该输入电压的电平而划分开的至少两个部分中是不同的。
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公开(公告)号：CN109841248B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201811311090.0
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供了一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个存储单元具有开关元件和数据存储元件，所述数据存储元件连接到所述开关元件并且包含相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器用于从所述多个存储单元获得第一读取电压，将第一写入电流输入到所述多个存储单元，然后从所述多个存储单元获得第二读取电压，其中所述存储控制器将所述多个存储单元中的第一存储单元的所述第一读取电压与所述第一存储单元的所述第二读取电压进行比较，以确定所述第一存储单元的状态。
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公开(公告)号：CN1885432B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200610094100.0
申请日：2006-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C7/12 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C2213/72
Abstract: 相变存储器器件具有字线驱动器布局，以允许减小所述器件核心区域的尺寸。一方面，相变存储器器件包括多个共享字线的存储器单元块，和驱动所述字线的多个字线驱动器。每个字线驱动器包括用于预充电字线的预充电器件和用于放电所述字线的放电器件，和其中，所述预充电器件和放电器件被交替地设置在所述多个存储器单元块之间。
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公开(公告)号：CN108615540B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201711172257.5
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴茂熙
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了一种存储器装置和一种操作该存储器装置的方法。所述存储器装置包括：电阻式存储器单元，连接到第一节点，被配置为包括可变电阻元件和用于控制流过可变电阻元件的电流的存取元件；检测电路，检测存取元件的阈值电压并向感测节点提供检测电流；钳位电路，连接在第一节点与感测节点之间，接收第一读取电压，并使第一节点的电压斜升。在钳位电路使第一节点的电压斜升的同时，当检测电流变为与流过第一节点的位线电流相等时，放电电路对第一节点进行放电。当感测节点的电压电平变为低于参考电压时，感测放大器转变输出电压值。
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公开(公告)号：CN101350225A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810215428.2
申请日：2008-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C7/04 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C29/02 , G11C29/026 , G11C29/028
Abstract: 一种非易失性存储装置包括非易失性存储单元、读取电路和控制偏置生成电路。非易失性存储单元具有依赖于所存储的数据而变化的电阻值。读取电路通过接收控制偏置并基于控制偏置为非易失性存储单元提供读取偏置，来读取非易失性存储单元的电阻值。控制偏置生成电路接收输入偏置，基于输入偏置生成控制偏置，并提供控制偏置给读取电路。控制偏置对输入偏置的斜率小于1。
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